产品名称：CVD-WS2单层连续薄膜 蓝宝石衬底单抛光; 衬底尺寸:10*10mm

产地：西安

状态：固体

储藏条件：常温保存

温馨提示：仅用于科研，不能用于人体实验！

西安齐岳生物科技有限公司是一家集研发，生产，销售为一体的高科技企业，可提供功能化修饰的载玻片、合成磷脂、高分子聚乙二醇衍生物、嵌段共聚物、顺磁/超顺磁性纳米颗粒、纳米金及纳米金棒、近红外荧光染料、活性荧光染料、荧光标记的葡聚糖BSA和链霉亲和素、蛋白交联剂、小分子PEG衍生物、点击化学产品、树枝状聚合物、环糊精衍生物、大环配体类、荧光量子点、透明质酸衍生物、石墨烯或氧化石墨烯、碳纳米管、富勒烯等等，可以满足不同客户的定制需求。

通过化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）法制备的二硫化钨（WS₂）单层连续薄膜是一种具有重要应用前景的二维材料。它在电子学、光电子学和催化等领域显示出巨大的潜力。以下是关于CVD法制备WS₂单层连续薄膜的详细信息：

化学气相沉积（CVD）法制备WS₂单层薄膜

基本原理

CVD法是通过在高温下使前驱物气体在基底表面发生化学反应，从而沉积出所需材料的薄膜。对于WS₂单层薄膜，常用的前驱物包括钨源（如W(CO)₆或WO₃）和硫源（如H₂S或硫粉）。

制备步骤

1. 基底准备：

• 选择基底：常用的基底包括氧化硅（SiO₂/Si）和蓝宝石（Al₂O₃）。

• 清洁基底：使用丙酮、异丙醇等有机溶剂清洗基底，然后用去离子水冲洗并干燥。

2. 前驱物准备：

• 钨源：常用钨的化合物，如钨六羰基（W(CO)₆）或三氧化钨（WO₃）。

• 硫源：常用硫粉或硫化氢（H₂S）气体。

3. CVD生长：

• 装载基底：将清洁后的基底放入CVD反应室的中心区域。

• 放置前驱物：将钨源和硫源分别放置在反应室内的适当位置，通常钨源放置在高温区，硫源放置在较低温区。

• 升温：将反应室温度升至合适的温度范围（通常在650-850°C之间）。

• 通入气体：通入氢气（H₂）作为载气，并通入前驱物气体。在高温下，前驱物气体分解并在基底表面发生化学反应，生成WS₂薄膜。

• 生长时间：控制生长时间，通常在几分钟到数十分钟不等，以获得单层WS₂薄膜。

• 冷却：停止加热并缓慢冷却至室温。

4. 后处理：

• 转移过程（可选）：如果需要将WS₂薄膜转移到其他基底上，可以使用湿法转移技术。首先在WS₂薄膜表面涂覆一层聚合物（如PMMA），然后通过化学刻蚀方法去除SiO₂基底，再将WS₂/聚合物复合膜转移到目标基底上，最后溶解去除聚合物层。

特性

1. 电子特性：WS₂具有直接带隙结构，带隙约为2.0 eV，适用于光电子器件。

2. 机械特性：WS₂单层薄膜具有高机械强度和柔韧性。

3. 化学稳定性：WS₂具有良好的化学稳定性和耐腐蚀性。

应用

1. 电子器件：用于场效应晶体管（FET）、逻辑器件和存储器件中。

2. 光电子器件：用于光探测器、发光二极管（LED）和太阳能电池中。

3. 催化：用于电催化和光催化反应中，表现出良好的催化活性。

4. 传感器：用于气体传感、生物传感等领域。

更多推荐：

ito导电玻璃  尺寸320×320mm 厚度1.1mm  电阻：7欧

钽铌酸钾（KTN）晶体基片 5*5*0.5mm的单抛

单晶SiO2晶体 50片10*10*0.5mm

InAs非掺 <100> 10x10x0.3mm 双面抛光

[Ru(phen)2(dppz)]2+ 阴离子用六氟磷酸根阴离子

铝酸镁基片

小编：齐岳hao 2024年6月7日