文献：面向量子点电致发光二*管的蓝光InP和ZnSe量子点研究现状 

链接：https://www.opticsjournal.net/Articles/OJ712e0a62acde3afd/FullText

作者：  杨书淇 1刘方海 1陈萍 1陈雷 1,2,*

节选：

InP量子点

InP因具有较宽的可调发光波长范围和低毒性而受到广泛关注，理论上通过控制InP量子点的尺寸便可使其发光峰在可见光范围内进行调节。基于InP量子点制备的红光和绿光QLED器件具有*的光电性能。Won等人报道了一种InP/ZnSe/ZnS双壳层结构红光量子点器件，EQE可达到21.4%，*大亮度超过100 000 cd/m2，在100 cd/m2的亮度下具有100万小时的发光寿命。然而InP材料的本征带隙较窄（1.35 eV），其发光波长很难达到蓝光范围，除非将其粒径限制在1~2 nm内。精准控制InP量子点的粒径大小对热注入合成法来说仍是一项挑战，此外低毒性磷前驱体的种类较少、InP材料不稳定*易被氧化等原因也限制了单体InP作为高性能蓝光量子点材料的可行性。

合成高质量蓝光InP量子点的路径主要分为两大方向：一是优化InP核的尺寸，随着InP尺寸的减小，其发光波长也逐渐蓝移从而获得蓝光发射；二是对InP量子点进行适当的壳层包覆，InP核包覆ZnS壳层不仅可以防止InP核被氧化，提高其稳定性，还能作为阻挡层抑制InP核的长大，达到小尺寸蓝光发射的目的，并降低非辐射荧光共振能量转移的概率进而提高量子效率。

直接合成*小尺寸的InP量子点较为困难，通过改变InP的合成条件或向反应溶剂中添加辅助配体可以达到抑制量子点生长的效果。Xie等人通过调节pH和交换表面配体，在较低温度下制备出尺寸可控的水溶性InP/ZnS量子点，光致发光量子产率（Photoluminescence Quantum Yield，PLQY）可达到40%，*大半峰全宽（Full Width at Half Maximum，FWHM）为90 nm。2012年Lim等人在130 ℃的反应温度下，利用反应前驱体中剩余的乙酸来调控InP量子点合成过程中的成核及生长过程，通过乙酸不停地“刻蚀”粒径较大的量子点，使得InP粒子尺寸始终保持在较小水平，随后进行ZnS壳层包覆，在保证蓝光发射的同时还合成出尺寸均匀的量子点，*终制得发光波长峰值为475 nm和FWHM为39 nm的InP/ZnS核壳量子点。

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