中文名称：CVD石英基底石墨烯膜(圆形基底)

CAS：7440-44-0

英文名称：CVD Graphene on Quartz Substrate (Circular)

1. 制备工艺与结构特性

CVD石英基底石墨烯膜通过化学气相沉积（CVD）技术制备，以高纯度石英玻璃为基底，通过高温分解碳源气体（如甲烷）在基底表面生长单层或多层石墨烯。圆形基底设计适配光学、电子器件的标准化需求，直径范围涵盖1英寸至4英寸。石墨烯层与石英基底结合紧密，表面平整度优于95%，层间均匀性通过拉曼光谱验证，确保电荷传输效率。石英基底的高透光性（>90%）与化学惰性，使其成为光电器件、透明导电薄膜的理想载体。

2. 物理与电学性能

该材料具备石墨烯的典型特性：单层方阻约300-600Ω/□，载流子迁移率达10,000 cm²/(V·s)以上，透光率超过97%（550nm波长）。多层结构（3-5层或6-8层）通过调整层数平衡导电性与透光性，适用于柔性传感器、太阳能电池电极等场景。石英基底的热膨胀系数（0.5×10⁻⁶/℃）与石墨烯匹配度高，在-196℃至400℃宽温域内保持结构稳定，减少热应力导致的性能衰减。

3. 应用领域与场景

在光电子领域，该材料用于制造高响应度光电探测器、透明加热膜及偏振敏感器件；在半导体行业，作为二维材料异质结的衬底，支持拓扑绝缘体、二维过渡金属硫化物的外延生长；在科研领域，其化学稳定性与高洁净度（表面污染物<10¹² atoms/cm²）满足量子输运、纳米电子学等精密实验需求。此外，圆形基底便于与现有光路系统集成，降低器件设计复杂度。

4. 存储与操作规范

材料需密封于氮气或氩气环境，避免与强氧化剂、有机溶剂接触；操作时建议佩戴无尘手套，使用聚四氟乙烯或陶瓷工具，防止金属离子污染。长期存储温度控制在-20℃至25℃，相对湿度<30%，以抑制石墨烯氧化或吸附水分子。使用前需通过原子力显微镜（AFM）检测表面粗糙度，确保符合器件制造要求。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

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