中文名称：化学气相沉积二氧化硅/硅基底单层二硒化钼薄膜，CVD二氧化硅/硅基底单层二硒化钼

英文名称：CVD Single-Layer Molybdenum Diselenide Film on SiO₂/Si Substrate

制备工艺与结构特性

采用CVD法在二氧化硅/硅（SiO₂/Si）基底上直接生长单层二硒化钼（MoSe₂），以钼酸铵为钼源、硒粉为硒源，在650-750℃下通过气相反应沉积形成三角晶粒，晶粒边长几十至一百微米，可通过延长生长时间形成连续薄膜。MoSe₂属六方晶系，层内Mo-Se键为共价键，层间通过范德华力结合，单层厚度约0.65纳米。

物理化学性能

MoSe₂为直接带隙半导体，单层带隙约1.55 eV，光吸收系数高，适合光电器件应用。导电性随层数增加而提升，单层电阻率约10⁻³ Ω·cm。化学稳定性良好，但易被强氧化剂腐蚀。机械性能方面，杨氏模量约270 GPa，断裂强度约20 GPa，柔韧性优于石墨烯。热稳定性一般，在400℃以上易分解。

应用领域

主要用于微电子与光电子领域，如场效应晶体管、光电探测器及太阳能电池；作为催化剂载体，用于氢析出反应；在生物传感领域，利用其表面活性位点检测生物分子。科研中常用于研究二维过渡金属硫化物的异质结结构及载流子动力学。

市场供应与定制服务

国内六碳科技为全球主要供应商，提供4英寸圆片批量产品，基底可选蓝宝石、SiO₂/Si等，支持晶粒尺寸（10×10mm至4英寸）及层数定制。进口产品如MIT实验室常用型号价格较高，国产定制服务可满足多数科研需求，交货周期约2-4周。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

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