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光电材料|UDP 糖| 卟啉 |基于n掺杂石墨烯量子点和石墨烯的Zn0·1Cd0·9S异质结构在紫外-可见光下的合成
发布时间:2022-01-20     作者:光电材料   分享到:

采用一种简单的方法,成功地制备了以Zn0·1Cd0·9S、n掺杂石墨烯量子点(N-GQDs)和石墨烯为基体的异质结构材料。通过各种分析来确定合成复合材料的结构、形态和材料性能。结果表明:Zn0·1Cd0·9S/N-GQDs/石墨烯异质结构在365 nm和405 nm光照下具有良好的光电性能,光电流分别为4.43 × 10−5 a /cm2和3.43 × 10−5 a /cm2。与空白Zn0·1Cd0.9S相比,其光电流增强了2倍。这一**的改善归因于N-GQDs作为光敏剂,增强了吸收能力的机制。同时,石墨烯作为载流子迁移衬底,促进了光生电子-空穴对的分离。Zn0·1Cd0·9S、N-GQDs和石墨烯的协同作用增强了其光电性能。Zn0·1Cd0·9S/N-GQDs/石墨烯异质结构为提高半导体在紫外-可见光下的光电性能提供了一条新的途径。

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