low k电介质薄膜

产品描述

Low-k（低介电常数）电介质薄膜是一种用于集成电路中的介质材料，具有较小的介电常数，可以降低集成电路中的漏电电流、降低导线之间的电容效应、降低集成电路发热等。这种材料通过降低集成电路中使用的介电材料的介电系数，可以提升IC内导线的传输功能，从而提高电路的性能。

在集成电路中，传统的二氧化硅介质（SiO2）的介电常数约为3.9-4.5，然而随着制程的不断推进，二氧化硅已逐渐接近应用上的**。因此，采用低介电常数介质薄膜作为金属线间和层间介质以代替传统二氧化硅介质成为降低互连延迟、串扰和能耗的有效方法。Low-k材料的介电常数通常小于3.0，有时甚至可以达到2.0以下。

在制备Low-k电介质薄膜时，可以采用多种方法，如旋涂工艺（Spin Coat）、化学气相沉积（CVD）等。旋涂工艺是一种液相工艺，通过将原材料溶解在溶剂中，然后涂覆在基材上形成薄膜。这种方法具有设备简单、工艺成本低的优点，但薄膜的稳定性相对较低。而CVD方法则是一种气相工艺，通过在反应室中引入反应气体，使其在基材表面发生化学反应形成薄膜。

产品简介

规格；mg

质量：95+

保存时间：一年

产地：西安

用途：仅用于科研

关于我们

西安齐岳生物科技有限公司经营的产品种类包括有：合成磷脂、高分子聚乙二醇衍生物、嵌段共聚物、磁性纳米颗粒、纳米金及纳米金棒、近红外荧光染料、活性荧光染料、荧光标记的葡聚糖BSA和链霉亲和素、蛋白交联剂、小分子PEG衍生物、点击化学产品、树枝状聚合物、环糊精衍生物、大环配体类、荧光量子点、透明质酸衍生物、石墨烯或氧化石墨烯、碳纳米管、富勒烯，二氧化硅及介孔二影产品，荧光蛋白及荧光探针等等。

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