碳化硅基底上外延生长的石墨烯，生长方式，生长条件控制

碳化硅（SiC）基底上外延生长的石墨烯是指利用化学气相沉积（CVD）等方法，在碳化硅基底上生长出石墨烯薄膜的过程。碳化硅是一种优良的衬底材料，具有**的热导性、化学稳定性和机械性能，适合作为石墨烯生长的基底。

名称：碳化硅基底上外延生长的石墨烯

纯度：95%+

储藏条件：-20°C 下避光保存

用途：科研

状态：固体/粉末/溶液

厂家：西安齐岳生物

西安齐岳生物供应各种基底的碳纳米管阵列，包括金属基底、石墨烯基底、石英玻璃基底、蓝宝石基底、二氧化硅基底、陶瓷基底等等定制服务

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温馨提醒：仅供科研，不能用于人体实验AXC.2024.04.01