产品名称： 

AlGaN/GaN异质结

描述：   

AlGaN/GaN异质结是由氮化镓（GaN）和铝镓氮化物（AlGaN）两种材料构成的异质结。这种异质结在光电子器件、功率器件、传感器等领域具有重要的应用，因为它结合了GaN和AlGaN的性能，具有良好的电学、光学和热学性能。

制备AlGaN/GaN异质结通常包括以下步骤：

1. 基底制备：选择合适的基底材料，如蓝宝石、硅碳化镓（SiC）等，用于生长GaN和AlGaN薄膜。

2. GaN薄膜生长：采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等方法在基底上生长GaN薄膜。

3. AlGaN薄膜生长：在GaN薄膜上生长AlGaN薄膜，通过调节AlGaN中铝的比例可以实现不同的能带结构和性能。

4. 界面处理：对GaN和AlGaN薄膜进行界面处理，确保二者之间有良好的结合和电学性能。

5. 性能表征：对制备的AlGaN/GaN异质结进行电学、光学和热学性能的表征，包括载流子浓度、电子迁移率、能带结构、发光特性等。

AlGaN/GaN异质结可以应用于高频功率器件、紫外光电子器件、高温传感器等领域。在高频功率器件中，它可以用于制备高电子迁移率晶体管（HEMT）；在紫外光电子器件中，它可以用于制备紫外发光二极管（LED）和激光二极管（LD）；在高温传感器中，它可以用于制备高温稳定的传感器器件。

配送：惯例下常温**

包装：盒装

厂家：西安齐岳生物科技有限公司 

种类：异质结

温馨提示：仅用于科研

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