产品名称：

p-AlGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结

描述： 

p-AlGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结是由p型铝镓氮化物（p-AlGa1-xN）、i型氮化镓（i-GaN）和n型氮化镓（n-GaN）三种材料构成的异质结。这种异质结在光电子器件、功率器件、传感器等领域具有重要的应用，因为它结合了不同类型的氮化镓材料，可以实现对电子和光子的有效控制和调制。

p-AlGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结的制备和应用涉及以下方面：

1. 材料生长：采用金属有机气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等方法在基底上生长p-AlGa1-xN、i-GaN和n-GaN薄膜。

2. 结构设计：根据器件的要求和性能需求，设计合适的异质结结构，包括层序和厚度控制。

3. 界面工程：对p-AlGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结的界面进行处理，以提高载流子的注入和传输效率。

4. 性能调控：通过调控AlGa1-xN的铝含量和厚度、GaN的掺杂浓度等参数，实现对异质结电学和光学性能的调控。

5. 器件制备：利用制备好的异质结材料制备光电子器件，如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。

p-AlGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结在LED、LD等光电子器件中具有重要应用，可以实现高效率的光电转换和发光效果。在HEMT等功率器件中，它可以实现高速电子传输和较低的电阻，具有良好的功率性能。

配送：惯例下常温**

包装：盒装

厂家：西安齐岳生物科技有限公司 

种类：异质结

温馨提示：仅用于科研

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