产品名称： 

Ga As/ Alx Ga1 - x As单异质结

描述：    

GaAs/AlxGa1-xAs单异质结是由砷化镓（GaAs）和铝镓砷化物（AlxGa1-xAs）两种材料组成的异质结。这种异质结在半导体器件领域具有广泛的应用，特别是在光电子器件和光学器件中，因为它结合了GaAs和AlGaAs两种材料的优点，具有良好的电子和光学性能。

制备GaAs/AlxGa1-xAs单异质结通常包括以下步骤：

1. 材料生长：采用金属有机气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等方法在GaAs基底上生长AlxGa1-xAs薄膜。

2. 合金比例控制：通过调节AlGaAs中铝的比例x，可以实现不同的能带结构和性能，从而调控异质结的电学和光学特性。

3. 界面处理：对GaAs/AlxGa1-xAs单异质结的界面进行处理，确保两者之间有良好的结合和电学性能。

4. 器件制备：利用光刻、蚀刻等工艺制备晶体管、激光二极管（LD）、太阳能电池等器件结构。

5. 性能测试：对制备的GaAs/AlxGa1-xAs单异质结器件进行性能测试，包括电子迁移率、载流子浓度、发射光谱等。

GaAs/AlxGa1-xAs单异质结在半导体激光器、太阳能电池、光电二极管等器件中具有重要应用。在半导体激光器中，它可以实现高效率的激光发射；在太阳能电池中，它可以实现高效的光电转换；在光电二极管中，它可以实现高速电子传输和较低的电阻。

配送：惯例下常温**

包装：盒装

厂家：西安齐岳生物科技有限公司 

种类：异质结

温馨提示：仅用于科研

同系列： 

a-SiC/c-Si异质结太阳能电池

PbS-TiO2异质结

Bi2WO6/TiO2异质结

N型衬底非晶硅/单晶硅异质结