产品名称： 

n-nc-Si:H/p-c-Si异质结

描述：      

n-nc-Si:H/p-c-Si异质结是指非晶氢化硅（nc-Si:H）与多晶硅（p-c-Si）构成的异质结。这种异质结在太阳能电池和光电器件中具有重要的应用，因为它结合了非晶硅和多晶硅的优点，可以实现高效率的光电转换和电子传输。

制备n-nc-Si:H/p-c-Si异质结通常包括以下步骤：

1. 非晶硅生长：采用化学气相沉积（PECVD）等方法在基底上生长非晶氢化硅薄膜。

2. 多晶硅生长：通过多晶硅生长技术，在非晶硅层上生长多晶硅薄膜。

3. 界面处理：对n-nc-Si:H/p-c-Si异质结的界面进行处理，确保两者之间有良好的结合和电学性能。

4. 器件制备：利用光刻、蚀刻等工艺制备太阳能电池或其他光电器件结构。

5. 性能测试：对制备的n-nc-Si:H/p-c-Si异质结器件进行性能测试，包括光电转换效率、光电流-电压特性等。

n-nc-Si:H/p-c-Si异质结在太阳能电池中具有广泛的应用，可以实现高效率的光电转换和光电流输出。非晶硅层可以吸收更广泛的光谱，而多晶硅层则具有较高的电子传输性能，两者结合可以充分利用光能并提高器件的效率。

配送：惯例下常温**

包装：盒装

厂家：西安齐岳生物科技有限公司 

种类：异质结

温馨提示：仅用于科研

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