您当前所在位置:首页 > 资讯信息 > 新品上市
1.3μm GaInAsP/InP双异质结 定制合成
发布时间:2024-04-23     作者:zhn   分享到:

产品名称: 

1.3μm GaInAsP/InP双异质结

描述:  

1.3μm GaInAsP/InP双异质结是指由镓铟砷磷(GaInAsP)和磷化铟(InP)两种材料组成的双异质结。这种结构在光电子器件领域中具有重要的应用,特别是在激光器件中,因为它能够实现波长为1.3μm的激光输出,适用于光通信和光纤通信等应用场景。

制备1.3μm GaInAsP/InP双异质结的激光器通常包括以下步骤:

  1. GaInAsP外延生长:利用金属有机气相沉积(MOCVD)等技术,在InP基底上生长GaInAsP材料。

  2. 量子阱设计:通过精确控制GaInAsP中镓、铟和磷的比例,设计合适的量子阱结构,实现所需的光学特性和电学性能。

  3. InP外延生长:在GaInAsP层上继续生长InP材料,形成双异质结。

  4. 光学特性调控:通过优化材料的生长参数和结构设计,调控双异质结的光学特性,实现1.3μm波长的激光输出。

  5. 器件加工:利用光刻、蚀刻等工艺,制备激光器件结构,包括激光腔、波导等。

  6. 性能测试:对制备的1.3μm GaInAsP/InP双异质结激光器进行性能测试,包括激光输出功率、谱特性、电流-电压特性等。

配送:惯例下常温**

包装:盒装

厂家:西安齐岳生物科技有限公司 

种类:异质结

温馨提示:仅用于科研

异质结

同系列:     

PtSe2/hBN 二硒化铂/氮化硼异质结

ReS2/hBN 二硫化铼/氮化硼异质结

ReSe2/hBN 二硒化铼/氮化硼异质结

SnS2/hBN 二硒化锡/氮化硼异质结

SnSe2/hBN 二硫化锡/氮化硼异质结

MX2/MX2/hBN/Graphene

库存查询