产品名称： 

Si/Si(1-x)Gex应变层异质结

描述：  

Si/Si(1-x)Gex应变层异质结是指硅（Si）和镓硅合金（Si1-xGex）构成的异质结，其中镓硅合金层存在应变，通过调节镓硅合金中的镓含量x，可以实现对Si/Si(1-x)Gex异质结的应变调控。这种异质结在半导体器件中具有重要的应用，特别是在高频器件和光电子器件领域。

制备Si/Si(1-x)Gex应变层异质结通常包括以下步骤：

1. 外延生长：利用化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等技术，在硅基底上生长Si(1-x)Gex层。

2. 应变调控：通过调节Si(1-x)Gex中的镓含量x，可以实现对异质结的应变调控，从而调节材料的电学和光学性能。

3. 界面处理：对Si/Si(1-x)Gex异质结的界面进行处理，确保有良好的结合和电学性能。

4. 器件制备：利用光刻、蚀刻等工艺制备半导体器件结构，如HBT（双极晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）等。

5. 性能测试：对制备的Si/Si(1-x)Gex异质结器件进行性能测试，包括电学特性、频率响应、光学特性等。

Si/Si(1-x)Gex应变层异质结在高频器件和光电子器件领域有着广泛的应用。在HBT中，它可以实现高频率的工作；在MOSFET中，它可以实现**的载流子传输特性。

配送：惯例下常温**

包装：盒装

厂家：西安齐岳生物科技有限公司 

种类：异质结

温馨提示：仅用于科研

同系列： 

MoS2/WS2

二硫化钼/二硫化钨异质结

MoS2/WSe2

二硫化钼/二硒化钨异质结

MoS2/MoSe2

二硫化钼/二硒化钼异质结

WS2/WSe2

二硫化钨/二硒化钨异质结