产品名称：单层氮化硼薄膜（hBN）Si/SiO2基
英文名称：Monolayer Boron Nitride Film (hBN) on Si/SiO2 Substrate
一、基本描述
中文名：单层氮化硼薄膜（hBN）Si/SiO2基
英文名：Monolayer Boron Nitride Film (hBN) on Si/SiO2 Substrate
单层氮化硼薄膜（hBN）是一种具有优良电学和热学性能的二维材料。氮化硼薄膜类似于石墨烯，但其具有更高的电绝缘性，同时仍保持优良的热导性和化学稳定性。将单层氮化硼薄膜生长在硅/硅氧化物（Si/SiO2）基底上，可以制备具有高性能的器件，广泛应用于电子、光电和纳米技术领域。
二、物理化学性质及应用
物理化学性质：
单层氮化硼薄膜具有较高的热导性、电绝缘性和化学稳定性。与石墨烯相比，氮化硼薄膜具有更好的电绝缘性能，因此在电子器件中可以作为绝缘层使用。此外，氮化硼薄膜还具有良好的耐高温性，适用于高温环境下的应用。
结构特性：
单层氮化硼薄膜由交替排列的硼和氮原子构成，其原子排列与石墨烯类似，属于六边形晶格结构。该薄膜具有较好的结构完整性和较高的热稳定性。
应用：
单层氮化硼薄膜广泛应用于电子器件中作为绝缘层、热导层和二维材料器件的基础材料。其独特的电学性质使其在光电器件、传感器、纳米技术以及高频器件等领域具有重要应用。
三、合成路线
单层氮化硼薄膜的合成通常采用化学气相沉积（CVD）法。通过将氮气和硼源气体（如三氯化硼）在高温下与硅或硅氧化物基底反应，形成氮化硼薄膜。该过程可以控制气体流量、温度和反应时间，以优化氮化硼薄膜的质量和厚度。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
温馨提醒：产品仅供科研，不能用于人体实验!

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