产品名称：CVD二氧化硅/硅基底单层二硒化钼，CAS：1317-33-5
中文名称：CVD二氧化硅/硅基底单层二硒化钼
英文名称：CVD Monolayer MoSe2 on SiO2/Si Substrate
CAS：1317-33-5
基本描述
CVD二氧化硅/硅基底单层二硒化钼是一类通过化学气相沉积（CVD）技术在SiO2/Si衬底上生长的单层MoSe2二维材料。该材料具有原子级厚度、良好晶体结构和大面积均匀性，可用于场效应晶体管、光电子器件及传感器研究。单层MoSe2表现出直接带隙特性，具有优良光学吸收、光电响应和载流子迁移能力。
物理化学性质及结构特性
单层MoSe2厚度约0.7 nm，呈六方晶格（2H相）结构，晶体面平整、缺陷少。光学带隙约1.55 eV，显示强烈光吸收和荧光特性。载流子迁移率可达10–50 cm²·V⁻¹·s⁻¹，电子和空穴有效分离性能良好。材料在SiO2/Si基底上附着稳定，可通过拉曼光谱和光致发光验证单层特性。
应用
CVD单层MoSe2广泛用于二维半导体器件、光电二极管、场效应晶体管、光催化及光电探测器。单层结构提供高比表面积和量子限制效应，增强光电转换效率。材料在纳米电子学、光电子器件和传感器中具有重要应用价值，可与其他二维材料形成异质结，实现功能拓展。
合成路线
典型制备方法为化学气相沉积（CVD）：①将Mo源（如MoO3）和Se源置于高温反应区；②在惰性气氛中加热，Mo蒸气与Se蒸气在SiO2/Si基底表面反应；③通过温度梯度和气流控制生长单层MoSe2；④冷却后获得均匀、晶体完整的单层材料。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
温馨提醒：产品仅供科研，不能用于人体实验!

关于我们
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