一步转移氮化硼薄膜采用化学气相沉积(CVD)法在金属基底(如铜、镍)上生长高质量六方氮化硼(h-BN)薄膜。
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
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| Q-0373883 | 100mg |
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| Q-0373883 | 250mg |
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| Q-0373883 | 500mg |
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| Q-0373883 | 1g |
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| Q-0373883 | 5g |
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询价 |
一步转移氮化硼薄膜采用化学气相沉积(CVD)法在金属基底(如铜、镍)上生长高质量六方氮化硼(h-BN)薄膜,通过聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)辅助转移技术,将薄膜完整转移至目标基底(如硅片、玻璃、PET)。该工艺避免传统湿法转移中的破损与污染问题,操作简便且成本可控。氮化硼薄膜具有高介电常数、高温热稳定性及抗氧化性,在电子器件封装、柔性电容器、深紫外发光器件等领域应用广泛。其晶粒尺寸通常大于4微米,厚度可定制,适用于实验室研究与小规模工业生产。
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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
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| 参数信息 | |
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| 外观状态: | 固体或粉末 |
| 质量指标: | 95%+ |
| 溶解条件: | 有机溶剂/水 |
| CAS号: | N/A |
| 分子量: | N/A |
| 储存条件: | -20℃避光保存 |
| 储存时间: | 1年 |
| 运输条件: | 室温2周 |
| 生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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