CVD氧化铝基单层二硫化钨，CAS: 7440-33-7
一、基本描述
中文名： CVD氧化铝基单层二硫化钨
英文名： CVD-Al2O3-supported Monolayer Tungsten Disulfide
CAS号： 7440-33-7
CVD氧化铝基单层二硫化钨是一种由化学气相沉积法（CVD）合成的复合材料，基底为氧化铝单层薄膜，表面负载了二硫化钨（WS₂）单层。二硫化钨作为一种过渡金属二硫化物（TMDs），因其独特的层状结构和优良的电学、光学性能，广泛应用于纳米电子学、催化反应和能源存储等领域。该材料因其优秀的电子导电性、可调的带隙以及与其他材料的兼容性，逐渐成为科研和工业应用中的重要材料。
二、化学性质
CVD氧化铝基单层二硫化钨的化学性质包括：
化学稳定性： 二硫化钨具有较强的化学稳定性，能够在高温和酸性或碱性环境中维持较为稳定的结构，不容易发生氧化反应。
表面反应性： WS₂单层表面具有较强的反应性，特别是在催化反应中，能够有效吸附反应物分子，并在一定条件下促进化学反应的发生。
高导电性： 二硫化钨在单层状态下展现出良好的电导性能，能够支持较大的电流密度。
三、结构特性
CVD氧化铝基单层二硫化钨的结构特性包括：
层状结构： 二硫化钨本身具有典型的层状结构，每一层由硫原子和钨原子交替排列，层间通过弱的范德华力结合。这种层状结构使得其在物理性质上表现出明显的各向异性。
单层薄膜： CVD法合成的二硫化钨薄膜通常为单层或少层结构，这对于提高其电子性能、光学性能等有着积极的影响。
氧化铝基底： 氧化铝作为基底材料，具有良好的机械强度和热稳定性，同时其表面经过特殊处理后，能够提供一定的表面功能化，为二硫化钨的生长提供优良的支撑。
四、应用
CVD氧化铝基单层二硫化钨由于其独特的性质，在多个领域具有重要应用：
电子器件： 该材料可作为高性能电子器件中的导电层或半导体材料，广泛应用于晶体管、二极管等器件的制造。
催化剂： WS₂单层薄膜在催化领域展现出优秀的催化活性，尤其在氢化反应、氧还原反应等过程中具有潜力。
储能设备： 该材料在电池、超级电容器等能源存储装置中具有优良的电导性和循环稳定性，成为研究热点。
光电子器件： 由于其带隙可调特性，CVD氧化铝基单层二硫化钨被应用于光电探测器、光电二极管等光电子器件中。
传感器： 由于其表面具有较强的吸附性能，二硫化钨可用于气体传感器和生物传感器领域。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
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