产品名称：GS 二氧化硅基底单层氮化硼薄膜 (CAS: 7440-44-0)
一、基本描述
中文名： GS 二氧化硅基底单层氮化硼薄膜
英文名： GS Silicon Dioxide Substrate Single-Layer Boron Nitride Film
CAS号： 7440-44-0
GS 二氧化硅基底单层氮化硼薄膜是一种通过化学气相沉积（CVD）方法，在二氧化硅（SiO₂）基底上生长的单层氮化硼（h-BN）薄膜。氮化硼是一种具有石墨类似层状结构的材料，具有出色的热稳定性、化学稳定性和绝缘性。单层h-BN薄膜具有高表面平整性和均匀性，可用于电子器件、热管理和高频应用等领域。二氧化硅基底提供了薄膜稳定的附着力，并支持氮化硼薄膜的均匀生长。
二、化学性质
GS 二氧化硅基底单层氮化硼薄膜的化学性质包括：
高绝缘性： h-BN具有优良的电绝缘性，适用于高电压和高频环境。
热稳定性： h-BN薄膜在高温下稳定，适合在高温环境下工作。
化学稳定性： h-BN薄膜具有较强的化学稳定性，不易被氧化或腐蚀。
三、结构特性
GS 二氧化硅基底单层氮化硼薄膜的结构特性包括：
单层结构： 单层氮化硼薄膜具有较高的表面平整性，且其薄膜厚度均匀，缺陷少。
层状结构： 氮化硼具有典型的层状结构，层间通过范德华力结合，具有良好的剥离性。
SiO₂基底： 二氧化硅基底提供良好的支撑力，并且能够促进薄膜的稳定生长。
四、应用
GS 二氧化硅基底单层氮化硼薄膜的应用包括：
电子器件： 由于其高绝缘性和优良的热稳定性，适用于高频电子器件、场效应晶体管（FET）等。
热管理： 可用作高效热导材料，广泛应用于高功率电子设备的热管理。
电气隔离： 用于电气隔离、隔热和高电压应用。
高频应用： 在射频和微波技术中，单层h-BN薄膜可以用于制造微波器件和传感器。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
温馨提醒：产品仅供科研，不能用于人体实验!

关于我们
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