CVD氧化铝基单层二硒化钨通过化学气相沉积(CVD)技术,在氧化铝基底表面生长单层二硒化钨(WSe₂)薄膜。
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0373984 | 100mg |
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| Q-0373984 | 250mg |
1
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询价 |
| Q-0373984 | 500mg |
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| Q-0373984 | 1g |
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询价 |
| Q-0373984 | 5g |
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询价 |
该材料通过化学气相沉积(CVD)技术,在氧化铝基底表面生长单层二硒化钨(WSe₂)薄膜。单层WSe₂具有直接带隙特性,带隙能量约1.6 eV,在可见光至近红外波段表现出显著的光吸收与发光性能。其二维层状结构由钨原子夹在两层硒原子之间构成,薄膜厚度约0.7 nm,晶格排列高度有序。氧化铝基底的高热稳定性与化学惰性,为WSe₂单晶畴的外延生长提供了理想条件,确保薄膜大面积覆盖均匀且缺陷较少。该材料常用于光电子器件、量子材料研究及二维材料基础物性探索,支持光学、电学与显微表征,并可通过湿法或干法转移至其他基底。
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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
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| 参数信息 | |
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| 外观状态: | 固体或粉末 |
| 质量指标: | 95%+ |
| 溶解条件: | 有机溶剂/水 |
| CAS号: | N/A |
| 分子量: | N/A |
| 储存条件: | -20℃避光保存 |
| 储存时间: | 1年 |
| 运输条件: | 室温2周 |
| 生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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