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二氧化硅基底单层氮化硼薄膜,Silicon Dioxide Substrate Monolayer Boron Nitride Film

该薄膜以单层六方氮化硼(h-BN)为功能层,通过化学气相沉积法生长于二氧化硅/硅基底(氧化层厚度300 nm,硅层500 μm)。

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产品介绍

该薄膜以单层六方氮化硼(h-BN)为功能层,通过化学气相沉积法生长于二氧化硅/硅基底(氧化层厚度300 nm,硅层500 μm),晶粒尺寸>4 μm,覆盖率100%。单层h-BN厚度仅0.33 nm,具有原子级平整度与高热导率(约300 W/m·K),同时作为宽带隙绝缘体(带隙约5.9 eV),可有效抑制电子隧穿。该材料在纳米电子领域用作场效应晶体管的栅介质层,降低漏电流;在光电器件中作为透明电极保护层,提升器件稳定性;在二维材料异质结研究中作为理想衬底,保持上层材料本征特性。常温干燥密封保存,保质期1年。

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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
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参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 西安齐岳生物科技有限公司
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