产品名称：硒化铟晶体，Indium Selenide Crystal，CAS号：12056-07-4
中文名：硒化铟晶体
英文名：Indium Selenide Crystal
CAS号：12056-07-4
一、基本描述
硒化铟晶体是一种III–VI族半导体化合物，化学式为InSe。该晶体呈银灰色或深灰色片状，具有层状结构，层间通过范德华力结合，层内In-Se键为强共价键。InSe晶体具有良好的化学稳定性和热稳定性，可在较宽温度范围内保持晶体结构完整。硒化铟因其优良的光电性能和高电子迁移率，在光电器件、红外探测器及柔性电子器件中应用广泛。
二、物理化学性质、结构特性与应用
InSe晶体通常属于六方晶系或三方晶系，晶格常数a ≈ 4.0 Å，c ≈ 16 Å。其层状结构使材料具有各向异性导电性和光学性质，带隙约为1.25 eV，呈直接带隙半导体特性，光吸收范围覆盖可见光至近红外波段。应用方面，硒化铟晶体可用于制造光电二极管、光探测器、太阳能电池、场效应晶体管(FET)及二维材料异质结。其可剥离性和良好的层间耦合特性，使其在二维材料研究、柔性电子及光电子器件中展现出重要潜力。
三、合成路线
硒化铟晶体主要通过固相反应或化学气相输运法制备。典型方法为将高纯In粉与Se粉按1:1摩尔比混合，置于真空封闭石英管中，通过温度梯度加热至650–750°C反应数天，使In与Se充分反应形成InSe晶体。反应过程中可加入少量I₂或Br₂作为运输剂，以改善晶体尺寸和结晶度。反应结束后缓慢降温至室温，可获得大尺寸单晶硒化铟，适合光电和电子器件应用。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
温馨提醒：产品仅供科研，不能用于人体实验!

关于我们：
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