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CVD氧化铝基底单层二硫化钨,Monolayer Tungsten Disulfide Film on CVD Aluminum Oxide Substrate

CVD氧化铝基底单层二硫化钨为基于氧化铝基底的单层二硫化钨(WS₂)薄膜,通过CVD技术实现原子级精度控制。

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产品介绍

CVD氧化铝基底单层二硫化钨为基于氧化铝基底的单层二硫化钨(WS₂)薄膜,通过CVD技术实现原子级精度控制。WS₂单层具有三明治结构,钨原子层位于两层硫原子之间,形成六方晶系排列,带隙约2.0eV。氧化铝基底的高机械强度(莫氏硬度9)与低热膨胀系数(5.3×10⁻⁶/℃),可缓解WS₂在温度变化时的应力,提升薄膜长期稳定性。该材料在可见光至近红外波段透光率超70%,且可通过掺杂调控载流子浓度,适用于透明导电电极、光电化学催化及非易失性存储器等领域。其表面能低,与聚合物封装层兼容性好,可构建多层复合结构,满足复杂器件设计需求。
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公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
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参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 西安齐岳生物科技有限公司
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