CVD氧化铝基底单层二硒化钼通过化学气相沉积（CVD）技术，在氧化铝（Al₂O₃）基底表面生长单层二硒化钼（MoSe₂）。二硒化钼属于过渡金属二硫族化合物（TMDCs），具有类石墨烯的层状结构，单层厚度约0.65 nm，由钼（Mo）原子层夹于两层硒（Se）原子之间构成。其带隙宽度约1.5 eV，具有直接带隙特性，在可见光区域表现出强光吸收能力，适用于光电探测器、光催化剂及场效应晶体管等领域。氧化铝基底的高热稳定性（熔点约2072℃）和化学惰性，为MoSe₂提供了稳定的生长环境，同时其绝缘性（电阻率>10¹⁴ Ω·cm）可避免对器件性能的干扰。该材料可通过调控CVD工艺参数（如温度、气体流量）实现单层均匀覆盖，表面粗糙度低（Ra<0.5 nm），满足高精度光电器件的需求。
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西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。
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