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CVD二氧化硅/硅基底单层二硒化钼,CVD SiO₂/Si substrate monolayer molybdenum diselenide

CVD二氧化硅/硅基底单层二硒化钼是一种采用化学气相沉积(CVD)技术制备的材料。

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产品介绍

CVD二氧化硅/硅基底单层二硒化钼是一种采用化学气相沉积(CVD)技术制备的材料。它以二氧化硅/硅作为基底,在其表面生长出单层的二硒化钼。二硒化钼作为一种二维过渡金属硫族化合物,具有独特的层状结构。这种单层结构使其在电子传输方面展现出良好的性能,在电子器件领域有潜在应用价值。二氧化硅/硅基底为二硒化钼提供了稳定的支撑平台,有助于保持其单层结构的完整性。该材料在纳米电子学、光电器件等领域受到关注,研究人员致力于探索其更多性能,以推动相关领域的技术发展。
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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
产品推荐:
NiFe-LDH二维层状双金属氢氧化物,CAS:7440-44-0
NiFe-LDO双金属复合氧化物,CAS:7440-44-0
NMC三元正极材料
二氧化钛纳米线A型分析纯,CAS:1317-80-2
碲纳米线,CAS:13494-80-9
氧化锰纳米线,CAS:1313-13-9
NZSP氧化物固态电解质
PbK2O(TCPP-Pb0.98)

参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 西安齐岳生物科技有限公司
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