SOI 晶体材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22～50μm,埋氧层 0.4～4μm,基底层厚度 100～500μm

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SOI 晶体材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22～50μm,埋氧层 0.4～4μm,基底层厚度 100～500μm

SOI 晶体材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22～50μm,埋氧层 0.4～4μm,基底层厚度 100～500μm

货号	规格	数量	价格
Q-0058898	100mg	1	询价
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张惠宁销售经理

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业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG

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产品介绍

SOI是将一薄层硅置于绝缘衬底上。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。

外形尺寸	4英寸；6英寸；8英寸
工艺	Smart cut; Bonding; SIMOX
类型	N/P
电阻率	可选
顶层单晶厚度	0.22～50μm
埋氧层	0.4～4μm
基底层厚度	100～500μm
TTV	<3μm
Particle	<10@0.3μm

参数信息
外观状态：	固体或粉末
质量指标：	95%+
溶解条件：	有机溶剂/水
CAS号：	N/A
分子量：	N/A
储存条件：	-20℃避光保存
储存时间：	1年
运输条件：	室温2周
生产厂家：	西安齐岳生物科技有限公司

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