I-III-VI族AIS作为直接带隙的三元硫属化合物，跃迁过程不需要声子的参与，具有较高的发光效率。在低温时形成四方相的黄铜矿结构，带隙为1.87eV;高温时形成正交相结构，其带隙约2.03eV，体材料的激子波尔半径约为5.5nm。Ag+具有较高的反应活性，在低温下可通过改变前驱体比例、反应温度、活性剂用量、掺杂形成固溶体或核壳结构等制备得到粒子半径<5.5nm，具有不同结构、可见光谱区颜色亮度可调的**荧光AIS系量子点。

AgInS2量子点的制备与二元半导体相比，AIS量子点作为三元半导体材料，其合成制备的可变因素更为丰富。由于Ag+和In3+的反应活性存在很大差异，其与S之间形成的键能不一，易产生缺陷，而缺陷对量子点的发光性能有重要的影响。因此，通过控制不同的组分可影响所得量子点的发光性能。同时，由于AIS量子点尺寸仅为几纳米，表现出强的量子限域效应使得其具备尺寸可调谐的光学性质，但同时使其具有很高的比表面积，表面存在大量的悬空键和缺陷成为载流子的非辐射跃迁通道，降低了荧光量子效率。其中很重要的改善措施是在量子点表面包裹另一种半导体材料形成核壳结构，壳结构在发光核及外部环境之间提供一个物理屏障，降低了核纳米晶的敏感性，从而大幅度提高QYs。

纯度：98%

产地：西安

供应商：西安齐岳生物科技有限公司

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以上资料来自小编lh2022年4月7日

仅用于用于科研，不能用于人体试验