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溅射法制备薄膜的原理、优缺点
发布时间:2021-03-29     作者:yyp   分享到:

薄膜制备溅射法

溅射现象源于阴极表面的气体辉光放电。溅射料呈板材作为阴极,基片置于阳极附近,高真空状态下放入工作气体(一般为氩气),在处于1-0.1Pa的低.工作气压中,在两极上施加0.1-10kV的电压,使工作气体原子电离成等离子体,从而产生具有高离子浓度的辉光放电区,等离子体中的正离子在电场作用下轰击阴极的靶材,与靶表面原子和原子团交换能量,使之飞溅出来,沉积到基片表面形成薄膜,故称此镀膜方法为溅射法。下图为溅射原理图。

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溅射几乎可以用来沉积任何固体材料的薄膜,所得膜层致密、纯度高、与基片附着牢固。溅射方法种类繁较多,有直流磁控溅射法、射频溅射法、离子束溅射法等。在比较低的气压下,从离子源区处的瓴离子以一定角度对靶材进行轰击,由于轰击粒子的能P大约为 1KeV,对靶材的穿透深度可忽略不计,级联碰撞只发生在靶材儿个原子厚度的表面层中,大量的原乎逃离靶材表面,成为溅射离子,其具有的能量大约为10eV的数量级。由于真空室内具有比较少的背景气体分子,溅射离子的自由程很大,这些粒子以直线轨迹到达基板并沉积在上面形成薄膜。由于大多数溅射粒子具有的能量只能渗入并使薄膜致密,而没有足够的能量使其它粒子移位,造成薄膜的破坏,同时由于低的背景气压,薄膜的污染也很低:而且,冷的基板也阻止了由热激发导致品粒的生长在薄膜内的扩散。因此,在基板上可以获得致密的无定形膜层。在成膜过程中,特别是那些能量高丁10eV的溅射粒子,能够渗入儿个原子址级的膜层从而提高了薄膜的附着力,并且再高低折射率层之间形成了很小梯度的过渡层。有的轰击粒子从靶材获得了电子而成为中性粒子或多或少的被弹性反射,然后,他们以几百电子伏的能量撞击薄膜,高能中性粒子的微量喷射可以进一-步使薄膜致密也增强了薄膜的内应力。

溅射法的主要优点是.工艺比较成熟,能够以较低的成本制备实用的大面积薄膜,沉积温度较低,可以在氧气气氛中使用金属或者合金靶材通过反应溅射获得所需要的薄膜。但这种方法的缺点是沉积膜速率较慢,在溅射过程中各组分的挥发性差别很大,膜的成分和靶材的成分有较大偏差,结构的均匀性比较难以控制。

供应产品目录:

铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜

大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜

磷化镓GaP薄膜

柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜

硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜

镓硫碲GaSTe薄膜

基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫属化合物薄膜

二硫化铪HfS2薄膜

二硒化铪HfSe2纳米薄膜

二氧化铪图案化薄膜

具有V型能带结构的锑硫硒薄膜

二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜

花菁染料薄膜

碲化镉(CdTe)多晶薄膜

纳米厚度的铌基超导超薄薄膜

掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜

碲化铷薄膜

二碲化镍NiTe2薄膜

连续半导体薄膜

二硒化铂PtSe2薄膜

大面积的二维PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高迁移率层状硒氧化铋Bi2O2Se半导体薄膜

碲氧溅射薄膜

碲纳米线柔性薄膜

三硫化二锡Sn2S3薄膜

铜锌锡硫和硫化亚锡(CZTS和SnS)薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜

纳米二氧化钒(VO2)薄膜

半导体硫(硒)化锌-锰薄膜

无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

钨掺杂的硫硒化镍薄膜

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

锌基底表面超疏水薄膜

Zr-Al复合薄膜

大面积二硫化锆薄膜

BaZrS3薄膜

碲化锰MnTe薄膜

碲化镍NiTe薄膜

Cr掺杂ZnS的中间带薄膜

铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶态半导体薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低温生长富砷的镓砷锑薄膜

As掺杂碲镉汞薄膜

锗砷硒半导体薄膜

三硒化二铋Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二铋Bi2Te3薄膜

晶界调控n型碲化铋薄膜

碲化铋取向纳米柱状薄膜

碲化铋纳米薄膜

碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜

碲化镉硅基薄膜

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

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超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

金属离子掺杂的TiO2薄膜

纳米碳纤维膜/钴酸锂三维同轴复合膜

含氢类金刚石薄膜

纳米结晶金刚石碳膜

三明治结构透明导电薄膜

三维纳米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳纳米纤维柔性薄膜

石墨烯基透明导电薄膜

球壳状连续异质结构的3D纳米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈纳米纤维薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三维多孔碳膜

二维氮化硼纳米薄膜

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多孔石墨烯/碳纳米管复合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化锰复合薄膜

各向异性导电高分子复合薄膜

碳氮化物薄膜

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三维阶层多孔金膜

大内径碳纳米管阵列薄膜

金纳米颗粒-碳复合材料催化剂薄膜

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具有大孔-中孔多级孔结构的自支撑碳纳米管薄膜

非晶碳基纳米多层薄膜

离子液体/织构化类金刚石碳复合润滑薄膜

碳纳米纤维薄膜

硫化钴镍纳米棒-静电纺丝碳纳米纤维复合薄膜

金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜

三维多孔碳纳米管/石墨烯导电网络的柔性薄膜

三维镍纳米线薄膜

超顺排碳纳米管薄膜

金属掺杂DLC(Me-DLC)纳米复合薄膜

C-TiO_2和C-Ni-TiO_2复合薄膜

碳基架负载二氧化锰纳米片的复合薄膜

超润滑非晶碳膜

网状结构碳纳米管薄膜

二维碳基薄膜

石墨烯基纳米薄膜复合材料

超级电容器柔性可弯曲薄膜

三维石墨烯/多壁碳纳米管/纳米金铂复合膜(3DGN/MWCNT/Au-PtNPs)

多孔C/TiO2纳米复合薄膜

碳包覆磷酸铁锂薄膜

WC/类金刚石(DLC)/WS2纳米复合薄膜

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