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铜掺杂二硫化锡纳米片(Cu/SnS2)的实验研究
发布时间:2021-05-26     作者:axc   分享到:

铜掺杂二硫化锡纳米片(Cu/SnS2)的实验研究

金属硫化物在光学、电子和超导体方面有很广泛的应用二硫化锡(SnS具有半导体特性,它的结构在二维和三维晶体之间,展示了强的各向异性和**的光学特性SnS2CdI2结构,宽带能隙大约为2.35eV,可用作太阳能电池材料,也可应用于全息记录系统和电转换系统,最近又有人把它作为锂离子电池的阳极材料此外我们发现经过Zn掺杂可明显降低SnS2薄膜的电阻率

 在本实验中,我们利用水热法合成了系列Cu掺杂的SnS2样品,对其形貌、结构及磁特性进行了研究Cu是一种非磁性元素,利用其掺杂可以在非磁性半导体SnS2中获得本征的室温铁磁性,这将会为理解稀磁半导体磁性来源以及实现对其铁磁性的控制产生极具指导性的意义

制备

1-xmolSnCl4·5H2O(x=0,0.01,0.025,0.05,0.07,0.10)4mol硫代乙酰胺(TAA)xmolCuCl2·2H2O在室温条件下加入到30ml去离子水中,搅拌大约30分钟,等混合均匀后再加入NaOH将溶液pH调至6.5,搅拌40min将溶液转至50mL的聚四氟乙烯容器中,放入高压反应釜中密封,放入烘箱中在200℃反应24h,等待反应釜自然冷却至室温将自然冷却后的溶液转入烧杯用去离子水反复沉淀、洗涤,至上层溶液清澈时,再放入

烘箱中,70℃下干燥12h,再自然冷却至室温,收集样品根据加入二水氯化铜的量不,得到Sn1-xCuxS2(x=0,0.01,0.025,0.05,0.07,0.10)纳米片

 

检测

采用X射线衍射仪(XRD,X'PertPROPHILIPSwithCuKαradiation)对粉末样品进行物相分析,利用高分辨透射电镜(HRTEM,TecnaiTMG2F30,FEI,USA)观察样品的形貌,利用X射线光电子能谱(XPS,VGESCALAB210)分析样品内元素及化合价态,利用振动样品磁强(VSM)对样品的磁特性进行了表征

 

结果与讨论

1.XRD结果及分析

1所示为Cu掺杂SnS2纳米片的XRD衍射图谱,可以看到所有样品的衍射峰都对应2H-型六角的SnS2(a=b=3.645Å,c=5.901Å,JCPDS89-2358)结构Cu掺杂量为10%,XRD的测试精度内没有观察到其他的杂相出现,Cu掺杂后样品具有明显的(001)取向从图1b所示的(001)衍射峰的放大图可以看到,随着Cu掺杂量的增加,衍射峰逐渐向低角度偏移,这是由于Cu离子半径大于Sn离子半径而引起的(Sn4+~0.69Å,Cu2+~0.73

Å,此结果进一步表明样品中的Cu离子掺杂到了SnS2的晶格中代替了Sn离子的位置

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2.TEM结果及分析

我们利用透射电镜观察了样品的形貌,结果显示所有的样品都呈现出六角片状结构2a给出了样品Sn0.075Cu0.025S2TEM结果(b),(c)(d)所示的HRTEM结果可以看到样品呈多晶结构,(d)图所取得范围内样品沿着(101)取向生长

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3.XPS结果及分析

利用XPS对样品的化学组分进行了分析,结果表明所有的样品都只是含有SnSCu这三种元素(纯的SnS2中无Cu元素),其中CO元素来在于测试时样品表面吸附的一些H2OCO23a给出了样品Sn0.075Cu0.025S2XPS全谱图,结果显示在XPS的测试精度内没有观察到其他杂质元素出现另外,从元素的高分辨XPS谱图结果可以得到:Sn3d3/2Sn3d5/2的结合能分别为495.0486.6eV,表明样品中的Sn元素呈+4;S2p1/2

S2p3/2的结合能分别位于161.6160.6eV,表明其在样品中为-2Cu元素的结合能位置**卫星峰的出现表明Cu离子以+2价掺杂到了SnS2的晶格中

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西安齐岳生物科技有限公司将从零维/一维/二维/三维四个分类来提供几十个产品分类和几千种纳米材料产品,材料的材质包含金属纳米材料和非金属纳米材料以及他们的氧化物或碳化物及复合定制材料等等,产品粒径从5纳米-2000纳米均可选择。

产品目录:

稀土掺杂硼酸钇二维纳米材料

稀土Ce3+对BN纳米片结构的掺杂

磷烯/六角氮化硼(P/h-BN)异质结

钨酸铋修饰氮化硼纳米片(Bi2O12W3/BN)

钨(w)掺杂改性多孔石墨相氮化碳(g-c3n4)

石墨相氮化碳(g-C3N4)固载磷钨酸(PTA)催化剂

烷基功能化氮化硼(BN)

透明质酸修饰氮化硼纳米片(HA-hBN)

聚多巴胺修饰氮化硼纳米片

铜—氮化硼复合材料Cu/BN

体相氮化碳(B-CN)和介孔石墨相氮化碳(mpg-CN)

陶瓷结合立方氮化硼(CBN)

碳纳米管/氮化硼复合材料(CNT/CBN)

碳化硅改性多壁碳纳米管(SiC/MWCNT)

碳化硅-氮化硼(SiC/CBN)陶瓷复合材料

碳掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米片

碳材料/g-C3N4异质结

碳/碳纤维-硅硼碳氮陶瓷复合材料

碳/碳-碳化硅-氮化硼复合摩擦材料

碳/氮化硼复合材料

钛酸酯偶联剂改性六方氮化硼(h-BN)

钛酸钴/石墨氮化碳复合材料(CoTiO3/g-C3N4)

羧基修饰六方氮化硼(hBN-COOH)

羧基修饰改性氮化硼(hBN-COOH)

羧基聚乙二醇包裹六方氮化硼(hBN-PEG-COOH)

羧基聚乙二醇包裹氮化硼纳米材料hBN-PEG-COOH

羧基功能化g-C3N4氮化碳纳米片

水溶性六方氮化硼纳米片

双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT)改性氮化硼(BNOC)

双金属负载材料

石墨相氮化碳纳米管CN-NTs

石墨相氮化碳/石墨烯(g-C3N4/rGO)复合光催化剂

石墨相氮化碳(g-C3N4)与Bi系化合物复合材料

石墨相氮化碳(g-C3N4)和钛酸铋复合材料

凹凸棒土基/石墨相氮化碳基杂化材料

石墨相氮化碳(g-C3N4)和凹凸棒土(凹土,ATP)杂化材料

氮掺杂碳包覆氮化钒一维复合材料(VN@C)

氮化钒(VN)薄膜

钴掺杂氮化钒(Co-VN)纳米球

立方相VN粉体

氮化钒/石墨烯纳米复合材料(VN/GO)

氧化物歧化酶修饰氮化钒

透明质酸酶修饰氮化钒

阿隆-氮化钒(AlON-VN)耐火材料

花状氮化钒(VN)

氧化钒(V2O5)制备了氮化钒(VN)纳米材料

氮化钒/氮化铬(VN/CrN)复合粉末

氮化钒/多孔蚕茧碳复合电极材料

聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为软模板制备的氮化钒-碳(VN-C)材料

聚苯胺/氮化铬(PANI/CrN)纳米复合材料

氮化钒/碳电极材料

阿隆-氮化钒(AlON-VN)复相陶瓷材料

碳纤维增强碳化硅(Cf/SiC)复合材料

铝基碳化硅增强材料(A1/SiC)

脂质体包裹六方氮化硼纳米片(hBN)

介孔石墨相氮化碳负载钴(Co/mpg-C3N4)

原子掺杂六方氮化硼

原位修饰Ni2P纳米晶催化剂提高g-C3N4催化剂

银/石墨相氮化碳复合材料(Ag/g-C3N4)

钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料(Y4Si2O7N2-BN)

乙酰丙酮氧钒络合纳米薄片石墨化氮化碳(VO@g-C3N4-T)

石墨相氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料

一维氮化硼纳米管BNNTs

叶酸修饰六方氮化硼(HBN-FA)

叶酸修饰石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米片

叶酸聚乙二醇包裹六方氮化硼(hBN-PEG-FA)

氧化铝包覆六方氮化硼复合粉末

氧化锆/石墨相氮化碳复合材料(ZrO2/g-C3N4)

亚稳态立方相氮化硼e-BN纳米多晶

形貌改善,金属/非金属掺杂,以及异质结构建

酰基修饰六方氮化硼

纤锌矿结构的氮化硼(w-BN)

稀土硅酸盐改性氮化硼基复合材料


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