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MXenes过渡金属碳化物铜基复合材料(Ti3SiC2/Cu)的制备与性能
发布时间:2020-11-03     作者:zhn   分享到:

MXenes过渡金属碳化物铜基复合材料(Ti3SiC2/Cu)的制备与性能

西安齐岳生物科技有限公司可以提供推出一系列二维纳米材料:Mxene、过渡金属碳化物和氮化物(MXenes)、MAX相陶瓷材料;也提供各种MXenes)、MAX有机无机纳米复合材料等一系列定制合成产品。

 

铜基复合材料具有优良的导电导热性能,具有高的强度和优良的抗磨损性能,主要应用于集成电路引线框架、受电弓滑板、电阻焊电极等领域。目前常用的增强相有Al2O3WCTiB2TiC等,这些增强相的加入在提高复合材料强度和模量的同时会**降低材料的导电率和热疲劳等性能。

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与以上几种增强相相比,Ti3SiC2的导电导热性能更为突出,这使得其在作为铜基增强相时,对复合材料的电学性能和热学性能影响较小,利于制备高强度和高电导率的材料;而且其热膨胀系数、弹性模量与铜更为接近,可以**降低热应力,提高材料的使用寿命,有望成为铜基复合材料理想的增强相。


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采用热压工艺制备高Ti3SiC2含量的铜基复合材料。测量复合材料的性质得到。随着Ti3SiC2含量的增加,复合材料的电阻率增加,且烧结温度提高之后,电阻率降低。这是因为,一方面Ti3SiC2比铜的电阻率高很多,Ti3SiC2含量的增加和铜含量的减少必然导致材料的电阻率增加;另一方面,Ti3SiC2含量的增加使得材料密度降低、孔隙增多,而材料中,孔隙的电阻可看作无穷大,因此孔隙的增多也会导致材料的电阻率升高;当提高烧结温度后,材料的密度增加、孔隙减少,从而使材料电阻率降低。随着Ti3SiC2含量的降低和烧结温度的升高,材料的抗弯强度提高。

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定制产品:

金属单质FeNiTiAl均匀分布在Ti B2陶瓷粉末

Ti B2-5 wt%(FeNiTiAl)混合粉末

Ti-25Al-10Nb-3V-1Mo-0.2B(at.%)

Ti-46.5Al-3Nb-2Cr-0.2W-0.2B(at.%)的合金粉末

Ti B2-5 wt%(Ti-Al-Nb-V-Mo-B)混合粉末

Ti B2-5 wt%(Ti-Al-Nb-Cr-W-B)混合粉末

TiB2/Ti3AlC2陶瓷复合材料

TiC--TiB2陶瓷复合材料

Ni/TiB_2-TiC复合材料

TiC-Ni3Al基复合材料

Ti2N-Mxenes

Ti2N 氮化二钛 2D二维材料

块状Ti2N 氮化二钛 粉末

风琴状Ti2N-Mxenes粉末

单层/多层、少层Ti2N-Mxenes

Ti2NbC2-Mxenes(二维材料迈科烯(MXene)

块状Ti5Si3

NiTi2/Ti2N/β-Ti三元共晶基体

Ti2N薄膜(112

块体Ti2AlN/TiN复合材料

TiB2/Ti2AlN复合材料

热压TiAl/Ti2AlC复合材料

表面含Cl,O混合官能团的Ti3C2Tx(Tx=Cl,O)MXene

过渡金属碳化物材料Zr3C2Tx

含氟溶液刻蚀三元过渡金属碳化物Zr3Al3C5

Ti3AlC2 MAX相陶瓷粉末

MAX相陶瓷 Ti3SiC2 MAXene

钛硅碳(Ti3SiC2)粉体、块状、单层、少层MAXene材料

Ti3SiC2/Cu复合材料

Ti3SiC2/Ag复合导电粉体(块状、单层、多层、分散液)

Ti3SiC2/Ag/SiC复合材料

Ti3SiC2/Cu/Al/SiC复合材料

Ti2CTxTi3CNTxNb2CTxTa2CTxTi2CTxTi3C2TxMXenes

高性能自立式Ti3C2Tx MXene

Cr2C-MXenes

半金属铁磁性二维Cr2C晶体

Cr2C(铬二碳) MXene材料(单层、少层、单层、粉末)

Cr2AlC陶瓷基复合材料

Cu-15%Cr2AlC复合材料

Cr2Al C/Al2O3复合材料

Cr2AlC陶瓷粉末

Cr2AlC-MAX(MXene)三元层状结构材料

Cr2AlC-Fe基复合材料

Cr2AlC增强Zn基复合材料

Ti3AlC2-Cr2AlC- TiC复合材料

Cr2AlC/铜基复合材料

Cu-Cr2AlC材料

TaCTa2C过渡金属碳化物

碳化钽(Ta4C3-IONP-SPs)纳米复合材料

MXene气凝胶材料

MXene气凝胶/环氧树脂电磁屏蔽纳米复合材料

 

以上资料源于西安齐岳生物科技有限公司

温馨提示:我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床zhn2020.11.03

 


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