AR-N 4240 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工艺。 i线、深紫外曝光 负性光刻胶
AR-N 4240 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工艺。 i线、深紫外曝光。适合制作亚微米图形，满足集成电路制造中的关键工艺要求而设计。
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0101354 | 100mg |
1
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| Q-0101354 | 250mg |
1
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| Q-0101354 | 500mg |
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| Q-0101354 | 1g |
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| Q-0101354 | 5g |
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张惠宁销售经理
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业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG
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AR-N 4240 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工艺。 i线、深紫外曝光。适合制作亚微米图形，满足集成电路制造中的关键工艺要求而设计。良好的耐等离子体刻蚀性能，在金属和氧化物表面的附着力好，并可用于lift-off工艺。
类别：一种光刻胶
供应商：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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