紫外负胶(厚胶),适用于LIGA及MEMS应用,涂胶厚度 10um@1000rpm。SX AR-N 4600-10/3 : 结构稳定性好、重复性好,厚度可达几百微米,适用于保留胶体结构的应用,SX AR-N 4650-10/4 : 容易去胶,适合于电铸工艺。
货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
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Q-0101357 | 100mg |
1
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Q-0101357 | 250mg |
1
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Q-0101357 | 500mg |
1
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Q-0101357 | 1g |
1
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Q-0101357 | 5g |
1
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询价 |

SX AR-N 4600-10/3
SX AR-N 4650-10/4
紫外负胶(厚胶),适用于LIGA及MEMS应用,涂胶厚度 10um@1000rpm。SX AR-N 4600-10/3 : 结构稳定性好、重复性好,厚度可达几百微米,适用于保留胶体结构的应用,SX AR-N 4650-10/4 : 容易去胶,适合于电铸工艺。
类别:一种光刻胶
供应商:西安齐岳生物科技有限公司
用途:科研
相关产品:
紫外光刻胶(Photoresist)
类型 |
型号 |
特性 |
正胶 |
AR-P 1200 |
适合喷涂(Spray Coating)的正性光刻胶。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面,可用于复杂工艺。 |
AR-P 3100 |
高灵敏度光刻胶.胶膜薄且均匀. 在玻璃和镀铬表面附着力好,可用于光学器件加工,掩膜制作等。另有,AR-P 3170 可以做出 100nm,甚至更小的线条(几十纳米)。 |
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AR-P 3200 |
黏度大,可得到厚胶膜,厚度可达几十微米,甚至上百微米。胶膜覆盖能力好,适合粗糙的 Wafer 表面涂胶,可很好的保护结构边缘。图形剖面边缘陡直。适合做LIGA或电镀工艺等。 |
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AR-P 3500 |
于集成电路制造中的掩膜加工。 高敏感、高分辨率且在金属和氧化物表面附着力好。其中,AR-P 3500T是针对 AR-P 3500 系列进行优化,而新研制的一种光刻胶;性能和AR-P 3500相似 |
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AR-P 3740 |
高分辨率光刻胶,制作亚微米结构,适于高集成电路制作。光刻胶表面平整均匀,高敏感度、高对比、工艺宽容度大。 AR-P 3840为染色的光刻胶,可以降低驻波和散射等的影响。 |
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AR-P 5300 |
Lift-off工艺用胶,利用普通的光刻工艺便可很容易得进行剥离工艺。高敏感、高分辨率, 且与金属和氧化物表面附着良好。 |
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参数信息 | |
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外观状态: | 固体或粉末 |
质量指标: | 95%+ |
溶解条件: | 有机溶剂/水 |
CAS号: | N/A |
分子量: | N/A |
储存条件: | -20℃避光保存 |
储存时间: | 1年 |
运输条件: | 室温2周 |
生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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KrF深紫外光刻胶系列 DK2060 DK3030 DKN1100
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DK1089 DK1087 KrF深紫外光刻胶系列
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AR-N 4400 厚胶,化学放大胶,可以做lift-off工艺。 i线、g线、深紫外、X-ray、电子束等都可以实现曝光。涂胶厚度从几十微米到上百微米,覆盖能力好,可用于表面粗糙的wafer表面涂覆,且剖面陡直,高分辨率。化学放大胶,灵敏度也非常高。可用于LIGA、电镀等工艺。 采用碱性水溶液显影,除胶非常容易,可以替代传统的SU8胶。
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AR-N 4340 化学放大胶,紫外曝光,可做lift-off工艺。 i线、g线曝光。化学放大胶,高灵敏度,高分辨率,高对比度,在金属和氧化物表面附着力好,可用于lift-off工艺。