CVD铜基石墨烯薄膜通过高温化学气相沉积法在铜箔表面生长单层或多层石墨烯,铜基底因低碳溶解度特性。
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0373884 | 100mg |
1
|
询价 |
| Q-0373884 | 250mg |
1
|
询价 |
| Q-0373884 | 500mg |
1
|
询价 |
| Q-0373884 | 1g |
1
|
询价 |
| Q-0373884 | 5g |
1
|
询价 |
CVD铜基石墨烯薄膜通过高温化学气相沉积法在铜箔表面生长单层或多层石墨烯,铜基底因低碳溶解度特性,可形成大面积均匀单层结构。薄膜尺寸为3cm×3cm,层数可定制(单层至10层),透光率达97.7%,电导率优异,且具备良好柔性与机械强度。转移工艺采用湿法刻蚀或一步转移法,可适配硅片、玻璃、聚合物等基底,广泛应用于透明导电电极、柔性显示器、高频晶体管及超级电容器等领域。铜箔厚度通常为20微米,纯度达99%,满足实验室及中试需求。
我们当前供应以下产品,欢迎与我们咨询!
供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
产品推荐:
介孔二氧化硅包载ICG及表面偶联RGD制备
介孔硅包磁负载硒偶联抗体
介孔硅包金纳米颗粒
金纳米棒(柠檬酸钠修饰),CAS:7440-57-5
金纳米花,CAS:7440-57-5
金纳米颗粒(CTAB修饰),CAS:7440-57-5
抗体修饰上转换纳米颗粒
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态: | 固体或粉末 |
| 质量指标: | 95%+ |
| 溶解条件: | 有机溶剂/水 |
| CAS号: | N/A |
| 分子量: | N/A |
| 储存条件: | -20℃避光保存 |
| 储存时间: | 1年 |
| 运输条件: | 室温2周 |
| 生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
-
硒化铂晶体(CAS:12038-26-5)是一种由铂(Pt)和硒(Se)元素组成的二元化合物,化学式为PtSe₂。
-
二水合硫化钙晶体(CAS:10101-41-4)是一种无机化合物,化学式为CaS·2H₂O。
-
一步转移氮化硼薄膜采用化学气相沉积(CVD)法在金属基底(如铜、镍)上生长高质量六方氮化硼(h-BN)薄膜。
-
石墨烯修饰氮化硅基底透射电镜载网以氮化硅网格为基底,表面沉积超薄单层石墨烯薄膜(厚度0.3-3nm)。




18092306871
2997912684
2997912684@qq.com
官方微信
官方微博