CVD氧化铝基单层二硒化钨，CAS: 7440-33-7
一、基本描述
中文名： CVD氧化铝基单层二硒化钨
英文名： CVD-Al2O3-supported Monolayer Tungsten Diselenide
CAS号： 7440-33-7
CVD氧化铝基单层二硒化钨是通过化学气相沉积法（CVD）合成的二硒化钨（WSe₂）单层薄膜，基底为氧化铝单层。二硒化钨属于过渡金属二硫化物（TMDs）家族，具有与二硫化钨类似的优良性能，但因硒的加入，其光学特性、电子特性等方面表现出独特的优势。WSe₂单层薄膜在电子学、光电学以及催化等领域具有广泛的应用前景。
二、化学性质
CVD氧化铝基单层二硒化钨的化学性质包括：
化学稳定性： 二硒化钨在常温下具有较高的化学稳定性，能够在常规环境中稳定存在，不易受到氧气或水分的影响。
较强的光学吸收： WSe₂在紫外和可见光区域具有强烈的光吸收特性，这使得其在光电领域的应用非常有前景。
表面活性： 二硒化钨的表面具有一定的催化活性，尤其在电催化和光催化反应中，能够有效地吸附并转化反应物。
三、结构特性
CVD氧化铝基单层二硒化钨的结构特性包括：
单层材料： 二硒化钨在单层状态下展现出独特的电子、光学性质，具有明显的半导体特性，并且具备较小的能带间隙（约为1.65 eV）。
层状结构： 与二硫化钨类似，二硒化钨也具有典型的层状结构，由钨原子和硒原子交替排列，层间通过弱的范德华力结合。
氧化铝基底： 氧化铝作为基底材料具有较强的机械性能和热稳定性，同时通过CVD法合成的二硒化钨薄膜能够良好地与氧化铝表面结合，提供稳固的支撑。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
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