CVD氧化铝基底单层二硒化钼通过CVD工艺在氧化铝基底上生长单层二硫化钨(WS₂)薄膜。
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0373986 | 100mg |
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| Q-0373986 | 250mg |
1
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| Q-0373986 | 500mg |
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| Q-0373986 | 1g |
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| Q-0373986 | 5g |
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该材料通过CVD工艺在氧化铝基底上生长单层二硫化钨(WS₂)薄膜。WS₂作为典型的过渡金属硫化物(TMDs),具有半导体性质,其单层结构由硫-钨-硫三原子层构成,厚度约0.65 nm,带隙能量约2.0 eV。氧化铝基底的高平整度与化学惰性,促进了WS₂单晶畴的外延生长,使薄膜覆盖均匀且缺陷密度低。该材料在电子器件领域表现突出,可用于制备场效应晶体管(FETs),其高电子迁移率与低功耗特性适用于高速逻辑电路。此外,WS₂的光学性质使其在光探测器、光催化剂及能源存储器件中亦有应用,例如作为锂离子电池阳极材料或光电池吸光层。
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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
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| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态: | 固体或粉末 |
| 质量指标: | 95%+ |
| 溶解条件: | 有机溶剂/水 |
| CAS号: | N/A |
| 分子量: | N/A |
| 储存条件: | -20℃避光保存 |
| 储存时间: | 1年 |
| 运输条件: | 室温2周 |
| 生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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CVD氧化铝基单层二硒化钨通过化学气相沉积(CVD)技术,在氧化铝基底表面生长单层二硒化钨(WSe₂)薄膜。




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