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CVD氧化铝基底单层二硒化钼,CAS:1317-33-5 CsPbI₂Br Perovskite Quantum Dot Solution

CVD氧化铝基底单层二硒化钼通过CVD工艺在氧化铝基底上生长单层二硫化钨(WS₂)薄膜。

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产品介绍

该材料通过CVD工艺在氧化铝基底上生长单层二硫化钨(WS₂)薄膜。WS₂作为典型的过渡金属硫化物(TMDs),具有半导体性质,其单层结构由硫-钨-硫三原子层构成,厚度约0.65 nm,带隙能量约2.0 eV。氧化铝基底的高平整度与化学惰性,促进了WS₂单晶畴的外延生长,使薄膜覆盖均匀且缺陷密度低。该材料在电子器件领域表现突出,可用于制备场效应晶体管(FETs),其高电子迁移率与低功耗特性适用于高速逻辑电路。此外,WS₂的光学性质使其在光探测器、光催化剂及能源存储器件中亦有应用,例如作为锂离子电池阳极材料或光电池吸光层。

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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
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参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 西安齐岳生物科技有限公司
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