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CVD氧化铝基单层二硒化钨,Monolayer Tungsten Diselenide Film on CVD Aluminum Oxide Substrate

CVD氧化铝基单层二硒化钨通过CVD技术在氧化铝基底上生长单层二硒化钨(WSe₂),形成二维硒化物晶体结构。

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产品介绍

CVD氧化铝基单层二硒化钨通过CVD技术在氧化铝基底上生长单层二硒化钨(WSe₂),形成二维硒化物晶体结构。WSe₂由钨原子层与硒原子层交替排列,单层厚度约0.7nm,具有约1.6eV的直接带隙,在近红外波段表现出强光吸收特性。氧化铝基底的高介电常数(约9.8)可有效屏蔽外界电场干扰,提升薄膜在复杂环境中的稳定性。该薄膜在980nm波长处光响应度达0.5A/W,适用于红外探测、光通信及太阳能电池等领域。其生长过程可通过调控温度与气体流量实现晶域尺寸控制,晶域平均尺寸可达10μm以上,减少晶界对载流子传输的影响,提升器件均匀性。
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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域,精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括:高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点(CdSe/ZnS、CdTe等)、多孔金属有机框架(MOF)纳米材料,以及表面功能化修饰的纳米载体(如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊)。产品粒径精准可控(5-2000纳米),支持定制化开发。
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参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 西安齐岳生物科技有限公司
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