二硒化钯（PdSe₂）CVD二维薄膜

二硒化钯（PdSe₂）是一种具有五重层结构（pentagonal layered structure）的二维材料，与常见的TMDCs相比，PdSe₂晶体结构更为复杂，其层由Se–Pd–Se–Pd–Se构成，具有独特的对称性和各向异性。PdSe₂单层为间接带隙半导体（约1.3 eV），随着层数增加其带隙逐渐减小并趋近金属性，表现出明显的层依赖电子特性。

CVD制备PdSe₂二维薄膜通常采用两步工艺：

首先在衬底上热蒸发一层超薄钯（Pd）金属膜，然后在硒蒸汽中硒化形成PdSe₂薄膜。反应温度一般在400–600°C之间，采用密闭石英管炉或封装反应系统以确保Se蒸气充分参与反应。PdSe₂ CVD薄膜的形貌可呈现多边形、矩形或条带状，厚度可调，结晶性强。

PdSe₂具有出色的环境稳定性和电学性能，其FET器件在空气中可长期稳定运行，迁移率在室温下可达100 cm²/V·s以上。其优异的气敏性能（特别是NO₂、NH₃等气体）使其在气体传感器领域具有应用前景。此外，PdSe₂的宽带吸收特性也使其成为发展宽光谱探测器、光电二极管和红外成像器件的理想材料。

由于PdSe₂的结构特殊，其生长控制较其他TMDC材料更具挑战，尤其是在确保层间排列一致性、避免Pd未完全硒化等方面仍需优化。目前，研究聚焦于低温CVD、界面修饰、应力调控以及异质结构（如PdSe₂/MoS₂、PdSe₂/graphene）的集成应用开发。

随着CVD技术的进步和对PdSe₂材料机制的深入理解，该材料有望成为新一代高性能二维电子与传感器件的关键材料之一。

运输说明:
低温产品:低温产品运输过程中加装冰袋运输。
常温产品:常温产品运输过程中无需加冰或者特殊包装
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