二硫化钨（WS₂）CVD二维薄膜

二硫化钨（WS₂）是另一种重要的过渡金属二硫化物（TMDCs），其晶体结构与MoS₂类似，属于六方晶系，单层结构为S–W–S三明治式。单层WS₂具有约2.0 eV的直接带隙，光吸收性能优于MoS₂，并具有更强的光致发光能力。因其优异的光电性能与较强的抗环境氧化能力，WS₂被广泛研究用于光电器件、催化、电池及气体传感器等领域。

CVD法是合成高质量WS₂薄膜的主要技术路线。常用前驱体包括WO₃粉末和硫粉，或有机钨源如W(CO)₆。反应过程通常在700–900°C之间进行，将WO₃与硫粉分别放置于不同温区，由惰性气体（如氩气）输送至衬底区域，使W与S反应沉积为单层或多层WS₂薄膜。通过调整反应温度、前驱体比例、沉积时间及气体流速，可调控WS₂晶粒尺寸及层数分布。

CVD合成的WS₂薄膜晶粒呈明显的三角形或六边形，表面光滑，结晶性好，具有较高的光致发光强度和载流子迁移率。相比MoS₂，WS₂对环境更为稳定，其FET器件表现出良好的电学开关特性（Ion/Ioff > 10⁵）和较低亚阈值摆幅（SS），显示出潜在的低功耗电子器件应用价值。

此外，WS₂作为光催化剂在可见光驱动的水分解及CO₂还原方面表现出优越的性能，其催化活性边缘位点多、导电性适中，使其成为HER反应的重要候选材料。研究还表明，WS₂在构建范德华异质结构（如WS₂/MoS₂、WS₂/graphene）方面具有重要应用潜力，用于下一代光电子器件和可调谐量子结构。 

运输说明:
低温产品:低温产品运输过程中加装冰袋运输。
常温产品:常温产品运输过程中无需加冰或者特殊包装
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