二硒化钼（MoSe₂）CVD二维薄膜

二硒化钼（MoSe₂）是由钼（Mo）与硒（Se）组成的过渡金属二硫属化物（TMDCs），结构与MoS₂相似，也具有层状S–Mo–S三明治结构。单层MoSe₂的带隙约为1.55 eV，略小于MoS₂，其更窄的带隙及较强的近红外吸收能力使其成为太阳能电池、光电探测器及热电器件的热门材料。

通过CVD方法可实现对MoSe₂薄膜的可控合成。常用前驱体为MoO₃和Se粉，或使用金属Mo薄膜+Se蒸汽源方式进行直接硒化。典型的反应温度范围为700–850°C，氩气或氮气作为载气。由于Se的蒸气压较低，相较硫源更易控制生长速率，适合于大面积均匀MoSe₂薄膜的沉积。为了提高硒化反应效率，研究中常采用Se/H₂混合气体或H₂辅助还原气氛以促进前驱体反应活性。

CVD合成的MoSe₂薄膜具有优良的光电性质，如高吸收系数、良好的光致发光特性（尤其在红外区），以及较高的电子迁移率。同时，MoSe₂在电催化方面也表现出优异性能，尤其在HER反应中展现出更低的过电位和更高的交换电流密度，优于MoS₂，适合于能源转化相关应用。

值得注意的是，MoSe₂的晶界和缺陷在CVD合成中相对较为明显，影响其整体电学一致性。为克服这一问题，研究者提出了诸如金属籽晶诱导生长、有机助剂调控、等离子辅助CVD等策略，以提升薄膜的质量与均匀性。此外，MoSe₂也广泛用于构建异质结构（如MoSe₂/WSe₂）及可调谐量子器件，有望在光通信、红外探测和集成电子领域发挥重要作用。  

运输说明:
低温产品:低温产品运输过程中加装冰袋运输。
常温产品:常温产品运输过程中无需加冰或者特殊包装
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