二硒化钨（WSe₂）CVD二维薄膜

二硒化钨（WSe₂）是一种典型的二维过渡金属二硒化物（TMDCs），具有类似石墨烯的层状结构，每层由一个W原子夹在两个Se原子之间形成Se–W–Se三明治结构，层间通过范德华力结合。其单层形式为直接带隙（约1.65 eV），多层和体相则为间接带隙（约1.2 eV），具有优异的光吸收和电学调控能力。

CVD（化学气相沉积）技术是目前合成高质量WSe₂薄膜的主流方法，主要使用W源（如WO₃或WCl₆）与Se源（通常为硒粉或H₂Se气体）反应沉积在衬底（如SiO₂/Si、蓝宝石或金属箔）表面。常见CVD反应温度为700–850°C，通常使用氩气或氩/氢混合气作为载气。在优化的生长条件下，可以获得单层、双层或多层均匀的WSe₂薄膜，具有规则六边形晶粒和良好的层次控制。

WSe₂具有出色的场效应晶体管（FET）性能，常表现出p型或本征半导体行为，且易于通过电场、化学掺杂或构建异质结构进行调控。在光电领域，WSe₂的光致发光强度强、响应速度快，是制备二维光探测器、光电二极管和光伏器件的理想材料。此外，WSe₂在催化领域也显示出一定的电催化活性，尤其在光催化水分解等可再生能源应用方面具有潜力。

当前挑战包括硒化效率、晶粒界面缺陷、掺杂控制等，研究者正在开发低温CVD、等离子体辅助CVD及籽晶诱导方法以提升其薄膜质量和晶体一致性。未来WSe₂有望在可穿戴电子、柔性光电器件、二维电子集成电路等领域实现广泛应用。

运输说明:
低温产品:低温产品运输过程中加装冰袋运输。
常温产品:常温产品运输过程中无需加冰或者特殊包装
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