二硒化铂（PtSe₂）CVD二维薄膜

二硒化铂（PtSe₂）是近年来新兴的二维材料，属于1T结构（层心对称的六方晶系），具有金属性或半金属性，可通过层数调控带隙性质：单层为半导体（带隙约1.2 eV），多层逐渐转变为金属性。其高电导性、高载流子迁移率与良好的化学稳定性，使其成为二维电子器件、红外探测器、催化剂等领域的研究热点。

CVD法制备PtSe₂薄膜一般采用两步法或一步法：

1.两步法：首先在衬底（如SiO₂/Si）上沉积超薄Pt金属薄膜（如0.5–1 nm），然后在密闭系统中进行Se蒸气硒化处理，在400–600°C下Pt与Se反应形成PtSe₂薄膜；

2.一步法：以PtCl₂或有机铂源与Se粉直接反应生长PtSe₂薄膜，适用于可控大面积制备。

相较于TMDCs如MoS₂或WSe₂，PtSe₂具有更优的接触特性，可形成低功耗欧姆接触界面，适用于构建高性能FET器件。此外，其光响应范围宽（从可见光到近红外）且响应速度快，是制作红外光电探测器的优选材料。PtSe₂还具备层间耦合较强的性质，可实现压力或应力感应功能，用于柔性应变传感器。

PtSe₂的主要难点在于精确控制层数、生长区域均匀性和避免金属残留。为了提升CVD生长质量，研究者探索了原位控制Pt膜厚度、高纯Se源供应、等离子辅助硒化等手段。未来，PtSe₂与其他二维材料（如MoS₂、石墨烯）构建异质结构器件，将在多功能电子与光电子领域实现突破。

运输说明:
低温产品:低温产品运输过程中加装冰袋运输。
常温产品:常温产品运输过程中无需加冰或者特殊包装
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