二硫化钼（MoS₂）CVD二维薄膜

二硫化钼（MoS₂）是一种典型的层状过渡金属二硫属化物（TMDC），其单层结构由一个钼原子夹在两个硫原子之间构成S–Mo–S三明治式结构。层与层之间通过范德华力结合，易于剥离形成单层或少层二维结构。单层MoS₂具有直接带隙（约1.8 eV），而体相MoS₂为间接带隙（约1.2 eV），这一带隙转变使其在电子与光电子领域具有独特优势。

化学气相沉积（CVD）是当前制备高质量、大面积单层MoS₂薄膜的主流方法。常用的CVD方法包括热蒸发辅助CVD和金属氧化物前驱体法。以MoO₃和硫粉为原料，通过惰性气体（如氩气）输送反应气体，在750–850°C高温下使Mo源和S源气化后反应，MoS₂沉积在加热的衬底上（如SiO₂/Si、蓝宝石、石墨烯等）。通过控制温度梯度、气氛压力、硫蒸气分压及反应时间，可以调控薄膜的晶粒尺寸、厚度和形貌。

CVD生长的MoS₂薄膜可展现出均匀的单晶域和清晰的六边形形貌，其电子迁移率、开关比及光致发光效率较机械剥离材料更具可控性。MoS₂在场效应晶体管（FET）、光电探测器、柔性电子器件、气体传感器及催化领域（如氢析出反应HER）中表现出良好的应用前景。

尽管如此，CVD制备过程中仍存在挑战，如晶界缺陷、应力引起的起皱以及与衬底的界面调控等问题。因此，当前研究关注方向包括低温生长工艺、选择性外延、异质结构构建（如MoS₂/WS₂）以及掺杂改性等，以进一步优化材料性能，拓展其在集成电路、光电子和能源转换领域的实用性。 

运输说明:
低温产品:低温产品运输过程中加装冰袋运输。
常温产品:常温产品运输过程中无需加冰或者特殊包装
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