一、基本描述
中文名： CVD氧化铝基底单层二硫化钨
英文名： CVD-Al2O3 Substrate Monolayer Tungsten Disulfide
CAS号： 7440-33-7
CVD氧化铝基底单层二硫化钨是通过化学气相沉积法（CVD）在氧化铝基底上合成的单层二硫化钨薄膜。二硫化钨（WS₂）是一种过渡金属二硫化物（TMDs），具有较高的电子迁移率和较好的光学特性。氧化铝基底为该材料提供了一个优良的支持平台，使其在各种应用中展现出更好的稳定性和性能。
二、化学性质
CVD氧化铝基底单层二硫化钨的化学性质包括：
高稳定性： 该材料具有较高的化学稳定性，特别是在高温和酸性环境下，能够保持稳定。
较强的光学特性： 二硫化钨单层薄膜具有优良的光学吸收能力，能够在特定波长下吸收大量的光能。
催化反应性： 由于其独特的层状结构，WS₂具有很强的催化反应性，尤其在氢气生产、氧还原反应等方面。
三、结构特性
CVD氧化铝基底单层二硫化钨的结构特性包括：
单层结构： 二硫化钨在该材料中呈现出单层状态，具有非常高的表面能和较低的能隙。
层状结构： 二硫化钨的层状结构由硫原子和钨原子交替排列，层间通过弱的范德华力结合。
氧化铝基底： 氧化铝基底不仅提供了机械支撑，还能有效地减少应力，增强二硫化钨的稳定性。
四、应用
CVD氧化铝基底单层二硫化钨的应用包括：
电子器件： 该材料适用于晶体管、光开关等电子器件，具有较好的导电性和性能。
催化领域： 在催化反应中，该材料能够促进多种反应，如氢气生成和氧还原反应。
储能器件： 由于其良好的电导性，二硫化钨可以用于电池、超级电容器等储能器件。
光电子领域： 该材料在光电探测器、光电二极管等光电子器件中具有广泛应用。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
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