CVD氧化铝基底单层二硒化钼，CAS: 1317-33-5
一、基本描述
中文名： CVD氧化铝基底单层二硒化钼
英文名： CVD-Al₂O₃ Substrate Monolayer Molybdenum Diselenide
CAS号： 1317-33-5
CVD氧化铝基底单层二硒化钼是通过化学气相沉积法（CVD）在氧化铝基底上合成的单层二硒化钼（MoSe₂）薄膜。二硒化钼是一种典型的过渡金属二硫化物（TMDs），具有出色的半导体性质。MoSe₂在光电、电子及催化等多个领域具有重要应用。通过CVD方法将MoSe₂单层薄膜沉积在氧化铝基底上，能够为其提供稳固的支撑，并提升其性能的稳定性。
二、化学性质
CVD氧化铝基底单层二硒化钼的化学性质包括：
化学稳定性： 二硒化钼具有较强的化学稳定性，能在常规条件下保持稳定，耐受氧化和湿气影响。
光学吸收： MoSe₂的光学吸收特性使其能够有效吸收特定波段的光线，尤其在紫外和可见光区域，具有广泛的应用前景。
导电性： 单层MoSe₂在电子领域表现出优良的导电性能，适合用于低功耗电子器件。
三、结构特性
CVD氧化铝基底单层二硒化钼的结构特性包括：
单层材料： 该材料为单层二硒化钼薄膜，具有高表面能和较低的能带间隙（约1.5 eV），使其适合用于光电和电子应用。
层状结构： MoSe₂具有层状晶体结构，原子层间通过弱的范德华力结合，使其易于剥离并展现出各向异性。
氧化铝基底： 氧化铝基底提供了稳定的支撑平台，有助于保持MoSe₂单层的稳定性和增强其机械强度。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
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