CVD氧化铝基底单层二硒化钨 (CAS: 7440-33-7)
一、基本描述
中文名： CVD氧化铝基底单层二硫化钨
英文名： CVD-Al₂O₃ Substrate Monolayer Tungsten Disulfide
CAS号： 7440-33-7
CVD氧化铝基底单层二硫化钨是一种过渡金属二硫化物（TMDs）材料，通过CVD（化学气相沉积）方法在氧化铝基底上合成。二硫化钨（WS₂）在电子、光电和催化领域中具有广泛应用，其独特的层状结构使其在电子导电性、光吸收和催化性能方面展现出优良的表现。该材料通过将WS₂单层薄膜沉积在氧化铝基底上，能够提供强力的支撑，增强材料的机械和热稳定性。
二、化学性质
CVD氧化铝基底单层二硫化钨的化学性质包括：
化学稳定性： 二硫化钨具有较高的化学稳定性，能够在高温或强酸、强碱环境中维持其结构的稳定性。
光学特性： 单层二硫化钨具有较大的光吸收系数，特别在紫外和可见光区域，广泛用于光电器件中。
电导性： 该材料展现出良好的电子导电性能，适合用于高性能电子器件。
三、结构特性
CVD氧化铝基底单层二硫化钨的结构特性包括：
单层薄膜： 二硫化钨的单层薄膜呈现较低的能带间隙（约1.8 eV），为其提供优良的电子传输性能。
层状结构： 二硫化钨的层状结构使其易于剥离，并在物理性质上表现出各向异性，特别是在电子导电性和光学吸收性能方面。
氧化铝基底： 氧化铝基底提供了坚固的支持，使二硫化钨单层薄膜在机械强度和稳定性方面得到增强。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
温馨提醒：产品仅供科研，不能用于人体实验!

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