CVD氧化铝基单层二硫化钨采用CVD工艺在氧化铝基底上制备单层二硫化钨（WS₂），形成二维过渡金属硫化物结构。WS₂由钨原子层与硫原子层交替堆叠，单层厚度约0.7nm，具有直接带隙半导体特性（带隙约2.0eV）。氧化铝基底的高热稳定性（熔点超2000℃）与化学惰性，为WS₂生长提供稳定环境，减少杂质掺入。该薄膜在550nm波长处透光率达75%以上，方阻可调至kΩ量级，适用于光电探测、发光二极管及逻辑电路等场景。其表面粗糙度Ra小于0.5nm，可与金属电极形成低接触电阻界面，提升器件性能。此外，氧化铝基底兼容微纳加工工艺，便于实现规模化集成。
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西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。
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