CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼连续薄膜通过化学气相沉积（CVD）技术在氧化硅/硅基底上生长单层二硫化钼（MoS₂），形成均匀连续的二维晶体结构。二硫化钼由钼原子层夹于两层硫原子之间构成，层间通过范德华力结合，单层厚度约0.65nm。氧化硅层作为缓冲层，可减少硅基底与MoS₂间的晶格失配，提升薄膜结晶质量。该材料在可见光波段透光率超80%，同时具备半导体特性，带隙约1.8eV，适用于光电器件、场效应晶体管及传感器等领域。其表面平整度误差小于0.3nm，缺陷密度低，在室温下可稳定存在，且可通过转移工艺集成至柔性基底，拓展在可穿戴设备中的应用潜力。
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供应商：西安齐岳生物科技有限公司
公司简介：
西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。
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