CVD-SnSe2单层薄膜，1cm x 1cm square shaped
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0049809 | 100mg |
1
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询价 |
| Q-0049809 | 250mg |
1
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询价 |
| Q-0049809 | 500mg |
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询价 |
| Q-0049809 | 1g |
1
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询价 |
| Q-0049809 | 5g |
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询价 |
17778955912
1521565887
1521565887@qq.comDescription:
This product contains full area coverage SnSe2 monolayers on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick SnSe2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer SnSe2 is highly crystalline.
Growth method: Our company synthesizes these monolayers using chemical vapor deposition (CVD) using highest purity (6N) gases and precursors in semiconductor grade facilities to produce crystalline and large domain size samples (1-50um). This is unlike commonly used MOCVD process wherein defects are very very large and domain sizes are small (10nm-500nm).
Sample Properties
| Sample size | 1cm x 1cm square shaped |
| Substrate type | Sapphire c-cut (0001) |
| Coverage | Full monolayer coverage |
| Electrical properties | 1.5 eV Indirect Gap Semiconductor |
| Crystal structure | Hexagonal Phase |
| Unit cell parameters |
a = b = 0.380, c = 0.612 nm, α = β = 90°, γ = 120° |
| Production method | Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) |
| Characterization methods | Raman, angle resolved Raman spectroscopy, photoluminescence, absorption spectroscopy TEM, EDS |
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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二硫化钼（MoS2）是一种典型的层状过渡金属二硫属化物（TMDC），其单层结构由一个钼原子夹在两个硫原子之间构成S–Mo–S三明治式结构。层与层之间通过范德华力结合，易于剥离形成单层或少层二维结构。单层MoS₂具有直接带隙（约1.8 eV），而体相MoS2为间接带隙（约1.2 eV），这一带隙转变使其在电子与光电子领域具有独特优势。
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二硫化钨（WS₂）是另一种重要的过渡金属二硫化物（TMDCs），其晶体结构与MoS₂类似，属于六方晶系，单层结构为S–W–S三明治式。单层WS₂具有约2.0 eV的直接带隙，光吸收性能优于MoS₂，并具有更强的光致发光能力。因其优异的光电性能与较强的抗环境氧化能力，WS₂被广泛研究用于光电器件、催化、电池及气体传感器等领域。
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CVD-ReSe2单层薄膜，1cm x 1cm square shaped
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CVD-ReS2单层薄膜，1cm x 1cm square shaped
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