硅基氮化硼/石墨烯异质结,Size: 1cmx1cm; 4 pack
货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
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Q-0049820 | 100mg |
1
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询价 |
Q-0049820 | 250mg |
1
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Q-0049820 | 500mg |
1
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Q-0049820 | 1g |
1
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Q-0049820 | 5g |
1
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询价 |

Properties of Graphene/h-BN Film:
Single Layer Graphene Film on Single Layer h-BN Film transferred onto 285 nm (p-doped) SiO2/Si wafer
Size: 1cmx1cm; 4 pack
The thickness and quality of each film is controlled by Raman Spectroscopy
The coverage of this product is about 98%
The films are continuous, with minor holes and organic residues
High Crystalline Quality
The graphene film is premodominantly single layer (more than 95%) with occasional small multilayer islands (less than 5% bi-layers)
Sheet Resistance: 430-800 Ω/square
Raman:
H-BN TEM:
参数信息 | |
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外观状态: | 固体或粉末 |
质量指标: | 95%+ |
溶解条件: | 有机溶剂/水 |
CAS号: | N/A |
分子量: | N/A |
储存条件: | -20℃避光保存 |
储存时间: | 1年 |
运输条件: | 室温2周 |
生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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二硫化钼(MoS2)是一种典型的层状过渡金属二硫属化物(TMDC),其单层结构由一个钼原子夹在两个硫原子之间构成S–Mo–S三明治式结构。层与层之间通过范德华力结合,易于剥离形成单层或少层二维结构。单层MoS₂具有直接带隙(约1.8 eV),而体相MoS2为间接带隙(约1.2 eV),这一带隙转变使其在电子与光电子领域具有独特优势。
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二硫化钨(WS₂)是另一种重要的过渡金属二硫化物(TMDCs),其晶体结构与MoS₂类似,属于六方晶系,单层结构为S–W–S三明治式。单层WS₂具有约2.0 eV的直接带隙,光吸收性能优于MoS₂,并具有更强的光致发光能力。因其优异的光电性能与较强的抗环境氧化能力,WS₂被广泛研究用于光电器件、催化、电池及气体传感器等领域。
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CVD-PdS2薄膜,PdS2 is vdW material with excellent catalytic and semiconducting properties.
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CVD-多层氮化硼BN薄膜,尺寸2"*1" (5.08*2.54cm2)