二硫化钼（MoS2）是一种典型的层状过渡金属二硫属化物（TMDC），其单层结构由一个钼原子夹在两个硫原子之间构成S–Mo–S三明治式结构。层与层之间通过范德华力结合，易于剥离形成单层或少层二维结构。单层MoS₂具有直接带隙（约1.8 eV），而体相MoS2为间接带隙（约1.2 eV），这一带隙转变使其在电子与光电子领域具有独特优势。

二硫化钨（WS₂）是另一种重要的过渡金属二硫化物（TMDCs），其晶体结构与MoS₂类似，属于六方晶系，单层结构为S–W–S三明治式。单层WS₂具有约2.0 eV的直接带隙，光吸收性能优于MoS₂，并具有更强的光致发光能力。因其优异的光电性能与较强的抗环境氧化能力，WS₂被广泛研究用于光电器件、催化、电池及气体传感器等领域。

CVD Graphene on SiO2 1cmx1cm 二氧化硅基底CVD生长石墨烯薄膜 层数可订 尺寸可订

CVD Graphene on Si 1cmx1cm 硅基底CVD生长石墨烯薄膜 层数可订 尺寸可订