CVD-二维类石墨烯产品-ALD-Vdw薄膜样品
货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
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Q-0049842 | 100mg |
1
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询价 |
Q-0049842 | 250mg |
1
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询价 |
Q-0049842 | 500mg |
1
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询价 |
Q-0049842 | 1g |
1
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询价 |
Q-0049842 | 5g |
1
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询价 |

Description:
Variety of vdW layers are deposited onto sapphire, SiO2/Si, and other custom substrates. Example material systems include GaS, GaSe,h-BN, GaTe, SnS, SnSe, and others. Typical substrate size measure 1cm2 with 0.5mm2 active area of 2D layers. These layered materials have been deposited using atomic layer deposition growth procedure established at our facilities between 2016-2018. All the product are rated at 6N (99.9999%) purity, defect free, electronic, and optical grade quality. Single crystal size is much larger than conventional CVD, MOCVD, or PLD techniques.
样品照片:
ALD-GaS thin film
ALD-GaTe thin film
ALD-GaSe thin film
参数信息 | |
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外观状态: | 固体或粉末 |
质量指标: | 95%+ |
溶解条件: | 有机溶剂/水 |
CAS号: | N/A |
分子量: | N/A |
储存条件: | -20℃避光保存 |
储存时间: | 1年 |
运输条件: | 室温2周 |
生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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二硫化钼(MoS2)是一种典型的层状过渡金属二硫属化物(TMDC),其单层结构由一个钼原子夹在两个硫原子之间构成S–Mo–S三明治式结构。层与层之间通过范德华力结合,易于剥离形成单层或少层二维结构。单层MoS₂具有直接带隙(约1.8 eV),而体相MoS2为间接带隙(约1.2 eV),这一带隙转变使其在电子与光电子领域具有独特优势。
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二硫化钨(WS₂)是另一种重要的过渡金属二硫化物(TMDCs),其晶体结构与MoS₂类似,属于六方晶系,单层结构为S–W–S三明治式。单层WS₂具有约2.0 eV的直接带隙,光吸收性能优于MoS₂,并具有更强的光致发光能力。因其优异的光电性能与较强的抗环境氧化能力,WS₂被广泛研究用于光电器件、催化、电池及气体传感器等领域。
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CVD-二维类石墨烯产品-CVD-MoSe2 单层薄膜
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CVD-二维类石墨烯产品-CVD-Sb2Te3 单层薄膜,1cm x 1cm square shaped